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1. (WO2019004184) PLASMA TREATMENT DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/004184 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/024146
Veröffentlichungsdatum: 03.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 26.06.2018
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 18.12.2018
IPC:
H05H 1/46 (2006.01) ,B01J 19/08 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/3065 (2006.01)
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
H
Plasmatechnik; Erzeugung von beschleunigten elektrisch geladenen Teilchen oder von Neutronen; Erzeugung oder Beschleunigung von neutralen Molekular- oder Atomstrahlen
1
Erzeugen von Plasma; Handhaben von Plasma
24
Erzeugen von Plasma
46
unter Verwendung angelegter elektromagnetischer Felder, z.B. Hochfrequenz- oder Mikrowellenenergie
B Arbeitsverfahren; Transportieren
01
Physikalische oder chemische Verfahren oder Vorrichtungen allgemein
J
Chemische oder physikalische Verfahren, z.B. Katalyse, Kolloidchemie; entsprechende Vorrichtungen hierfür
19
Chemische, physikalische oder physiko-chemische Verfahren allgemein; entsprechende Vorrichtungen hierfür
08
Verfahren mit direkter Anwendung von Elektro- oder Wellenenergie oder von Teilchenstrahlung; Vorrichtungen hierfür
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
34
durch Aufstäuben
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
3065
Plasmaätzen; Reaktives Ionenätzen
Anmelder:
キヤノンアネルバ株式会社 CANON ANELVA CORPORATION [JP/JP]; 神奈川県川崎市麻生区栗木2-5-1 2-5-1, Kurigi, Asao-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2158550, JP
Erfinder:
田名部 正治 TANABE, Masaharu; JP
関谷 一成 SEKIYA, Kazunari; JP
井上 忠 INOUE, Tadashi; JP
笹本 浩 SASAMOTO, Hiroshi; JP
佐藤 辰憲 SATO, Tatsunori; JP
土屋 信昭 TSUCHIYA, Nobuaki; JP
竹田 敦 TAKEDA, Atsushi; JP
Vertreter:
大塚 康徳 OHTSUKA, Yasunori; JP
大塚 康弘 OHTSUKA, Yasuhiro; JP
高柳 司郎 TAKAYANAGI, Jiro; JP
木村 秀二 KIMURA, Shuji; JP
Prioritätsdaten:
2018-01755002.02.2018JP
PCT/JP2017/02360327.06.2017JP
PCT/JP2017/02361127.06.2017JP
Titel (EN) PLASMA TREATMENT DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマ処理装置
Zusammenfassung:
(EN) A plasma treatment device provided with: a balun having a first unbalanced terminal, a second unbalanced terminal, a first balanced terminal, and a second balanced terminal; a grounded vacuum container; a first electrode electrically connected to the first balanced terminal; a second electrode electrically connected to the second balanced terminal; an adjustment reactance having an effect on the relationship between a first voltage applied to the first electrode and a second voltage applied to the second electrode; a high-frequency power supply for generating high-frequency waves supplied between the first unbalanced terminal and the second unbalanced terminal; a substrate-holding unit for holding a substrate; and a drive mechanism for rotating the substrate-holding unit. The high-frequency power supply is such that the frequency of the high-frequency waves can be modified, and modifying the frequency adjusts the relationship.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de traitement au plasma comprenant : un symétriseur pourvu de première et seconde bornes non équilibrées et de première et seconde bornes équilibrées ; un contenant sous vide mis à la terre ; une première électrode connectée électriquement à la première borne équilibrée ; une seconde électrode connectée électriquement à la seconde borne équilibrée ; une réactance de réglage ayant un effet sur la relation entre une première tension appliquée à la première électrode et une seconde tension appliquée à la seconde électrode ; une alimentation électrique haute fréquence servant à générer des ondes haute fréquence fournies entre les première et seconde bornes non équilibrées ; une unité de maintien de substrat servant à maintenir un substrat ; et un mécanisme d'entraînement servant à faire tourner l'unité de maintien de substrat. L'alimentation électrique haute fréquence est telle que la fréquence des ondes haute fréquence peut être modifiée, d'où un réglage de la relation.
(JA) プラズマ処理装置は、第1不平衡端子、第2不平衡端子、第1平衡端子および第2平衡端子を有するバランと、接地された真空容器と、前記第1平衡端子に電気的に接続された第1電極と、前記第2平衡端子に電気的に接続された第2電極と、前記第1電極に印加される第1電圧と前記第2電極に印加される第2電圧との関係に影響を与える調整リアクタンスと、前記第1不平衡端子と前記第2不平衡端子との間に供給される高周波を発生する高周波電源と、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる駆動機構と、を備え、前記高周波電源は、前記高周波の周波数を変更可能であり、前記周波数の変更によって前記関係が調整される。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)