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1. (WO2019003045) STORAGE DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/003045 Internationale Anmeldenummer PCT/IB2018/054482
Veröffentlichungsdatum: 03.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 19.06.2018
IPC:
G11C 11/4091 (2006.01) ,G11C 5/02 (2006.01) ,G11C 7/06 (2006.01) ,H01L 21/8234 (2006.01) ,H01L 21/8242 (2006.01) ,H01L 27/06 (2006.01) ,H01L 27/108 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
11
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür
21
mit elektrischen Elementen
34
mit Halbleitern
40
mit Transistoren
401
bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen
4063
Hilfsschaltungen, z.B. zum Adressieren, Decodieren, Treiben, Schreiben, Abtasten oder zur Zeitsteuerung
407
Zusatzschaltungen für Feldeffektspeicherzellen
409
Lese-/Schreib[R/W]-Schaltungen
4091
Abtast- oder Abtast/Refresh-Verstärker oder verwandte Abtastschaltungen, z.B. gekoppeltes Vorladen, Ausgleichen oder Isolieren der Bitleitungen
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
5
Einzelheiten von Speichern, soweit sie von G11C11/70
02
Räumliche Anordnungen von Speicherelementen, z.B. in der Form einer Matrix
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
7
Anordnungen zum Einschreiben oder Auslesen von Informationen in einen bzw. aus einem digitalen Speicher
06
Leseverstärker; zugehörige Schaltungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
8232
Feldeffekt-Technologie
8234
MIS-Technologie
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
8232
Feldeffekt-Technologie
8234
MIS-Technologie
8239
Speicher-Strukturen
8242
Strukturen für dynamische RAM-Speicher [DRAM]
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
06
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich nicht wiederholender Konfiguration
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105
mit Feldeffekt- Schaltungselementen
108
Strukturen für dynamische RAM-Speicher
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
Anmelder:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Erfinder:
大貫達也 ONUKI, Tatsuya; JP
長塚修平 NAGATSUKA, Shuhei; JP
Prioritätsdaten:
2017-12501727.06.2017JP
2017-14883901.08.2017JP
Titel (EN) STORAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE STOCKAGE
(JA) 記憶装置
Zusammenfassung:
(EN) Provided is a storage device with a fast operating speed. This storage device is provided with a first and a second memory cell, a first and a second bit line, a first and a second switch, and a sense amplifier. The sense amplifier is provided with a first node and a second node. The first memory cell is electrically connected to the first node via the first bit line and the first switch, and the second memory cell is electrically connected to the second node via the second bit line and the second switch. The sense amplifier amplifies the potential difference between the first node and the second node. The first memory cell and the second memory cell are each provided with a transistor which includes an oxide semiconductor in the channel formation region.
(FR) L'invention concerne un dispositif de stockage comportant une vitesse de fonctionnement rapide. Ce dispositif de stockage est pourvu d'une première et d'une seconde cellule de mémoire, d'une première et d'une seconde ligne de bits, d'un premier et d'un second commutateur, et d'un amplificateur de détection. L'amplificateur de détection est pourvu d'un premier nœud et d'un second nœud. La première cellule de mémoire est connectée électriquement au premier noeud par l'intermédiaire de la première ligne de bits et du premier commutateur, et la seconde cellule de mémoire est connectée électriquement au second noeud par l'intermédiaire de la seconde ligne de bits et du second commutateur. L'amplificateur de détection amplifie la différence de potentiel entre le premier noeud et le second noeud. La première cellule de mémoire et la seconde cellule de mémoire sont chacune pourvues d'un transistor qui comprend un semi-conducteur d'oxyde dans la région de formation de canal.
(JA) 動作速度の速い記憶装置を提供する。 第1および第2メモリセルと、 第1および第2ビット線と、 第1および第2スイッチと、 センスアン プを有する記憶装置である。 センスアンプは第1ノードおよび第2ノードを有する。 第1メモリセル は、第1ビット線および第1スイッチを介して、第1ノードに電気的に接続され、第2メモリセルは、 第2ビット線および第2スイッチを介して、 第2ノードに電気的に接続される。 センスアンプは、 第 1ノードと第2ノードの電位差を増幅する。 第1メモリセルおよび第2メモリセルは、 チャネル形成 領域に酸化物半導体を含むトランジスタを有する。
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)