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1. (WO2019003037) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC COMPONENT
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Veröff.-Nr.: WO/2019/003037 Internationale Anmeldenummer PCT/IB2018/054405
Veröffentlichungsdatum: 03.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 15.06.2018
IPC:
H04N 5/369 (2011.01) ,G11C 11/405 (2006.01) ,H01L 27/1156 (2017.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H04N 5/374 (2011.01)
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
369
Festkörper- /Halbleiter-Bildsensor [SSIS]-Architektur, dazugehörige Schaltungen
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
11
Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung besonderer elektrischer oder magnetischer Speicherelemente; Speicherelemente hierfür
21
mit elektrischen Elementen
34
mit Halbleitern
40
mit Transistoren
401
bestehend aus Zellen, die eine Auffrischung oder Ladungsregeneration benötigen, d.h. dynamische Zellen
403
mit gemeinsamer Ladungsregeneration für mehrere Speicherzellen, d.h. externe Auffrischung
405
mit drei Ladungstransferstrecken pro Zelle, z.B. MOS- Transistoren
[IPC code unknown for H01L 27/1156]
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
78
mit Feldeffekt, der durch ein isoliertes Gate hervorgerufen ist
786
Dünnfilm-Transistoren
H Elektrotechnik
04
Elektrische Nachrichtentechnik
N
Bildübertragung, z.B. Fernsehen
5
Einzelheiten von Fernsehsystemen
30
Umwandeln von Licht oder ähnlicher Information in elektrische Information
335
unter Verwendung von Festkörper- /Halbleiter-Bildsensoren [SSIS]
369
Festkörper- /Halbleiter-Bildsensor [SSIS]-Architektur, dazugehörige Schaltungen
374
Adressierte Sensoren, z.B. MOS- oder CMOS-Sensoren
Anmelder:
株式会社半導体エネルギー研究所 SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県厚木市長谷398 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036, JP
Erfinder:
岡本佑樹 OKAMOTO, Yuki; JP
黒川義元 KUROKAWA, Yoshiyuki; JP
楠本直人 KUSUMOTO, Naoto; JP
Prioritätsdaten:
2017-12512427.06.2017JP
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC COMPONENT
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT ÉLECTRONIQUE
(JA) 半導体装置および電子部品
Zusammenfassung:
(EN) Provided is a semiconductor device which is capable of holding a signal detected by a sensor element. This semiconductor device is provided with a sensor element, a first transistor, a second transistor, and a third transistor, wherein one electrode of the sensor element is electrically connected to a first gate, the first gate is electrically connected to either the source or the drain of the third transistor, either the source or the drain of the first transistor is electrically connected to the gate of the second transistor, and a semiconductor layer is provided with a metal oxide.
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur qui est capable de maintenir un signal détecté par un élément de capteur. Le dispositif à semi-conducteur de la présente invention est pourvu d'un élément de capteur, d'un premier transistor, d'un deuxième transistor et d'un troisième transistor, une électrode de l'élément de capteur étant électriquement connectée à une première grille, la première grille étant électriquement connectée soit à la source soit au drain du troisième transistor, soit la source soit le drain du premier transistor étant connecté électriquement à la grille du deuxième transistor, et une couche semi-conductrice étant pourvue d'un oxyde métallique.
(JA) センサ素子が検知した信号を保持することのできる半導体装置を提供する。 センサ素子と、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、を有し、セ ンサ素子の一方の電極は第1のゲートと電気的に接続され、第1のゲートは第3のトランジスタのソ ースまたはドレインの一方と電気的に接続され、第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方 は第2のトランジスタのゲートと電気的に接続され、半導体層は金属酸化物を有する構成とする。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)