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1. (WO2019002082) VERFAHREN ZUM JUSTIEREN EINES BELUCHTUNGSSYSTEMS FÜR DIE MIKROLITHOGRAPHIE
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Veröff.-Nr.: WO/2019/002082 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/066557
Veröffentlichungsdatum: 03.01.2019 Internationales Anmeldedatum: 21.06.2018
IPC:
G03F 7/20 (2006.01) ,G02B 26/08 (2006.01) ,G02B 5/09 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
G Physik
02
Optik
B
Optische Elemente, Systeme oder Geräte
26
Optische Vorrichtungen oder Anordnungen mit beweglichen oder verformbaren optischen Elementen zum Steuern der Intensität, Farbe, Phase, Polarisation oder Richtung von Licht, z.B. Schalten, Austasten, Modulieren
08
zum Steuern der Richtung von Licht
G Physik
02
Optik
B
Optische Elemente, Systeme oder Geräte
5
Optische Elemente außer Linsen
08
Spiegel
09
Mehrflächenspiegel oder Polygonspiegel
Anmelder:
CARL ZEISS SMT GMBH [DE/DE]; Rudolf-Eber-Strasse 2 73447 Oberkochen, DE
Erfinder:
MANGER, Matthias; DE
ORTHEN, André; DE
RUNDE, Daniel; DE
PETRI, Christoph; DE
Vertreter:
SUMMERER, Christian; DE
ZEUNER, Stefan; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 210 686.726.06.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR ADJUSTING AN ILLUMINATION SYSTEM FOR MICROLITHOGRAPHY
(FR) PROCÉDÉ DE RÉGLAGE D'UN SYSTÈME D’ÉCLAIRAGE POUR LA MICROLITHOGRAPHIE
(DE) VERFAHREN ZUM JUSTIEREN EINES BELUCHTUNGSSYSTEMS FÜR DIE MIKROLITHOGRAPHIE
Zusammenfassung:
(EN) A method for adjusting an illumination system (20) comprising an illumination beam path (34) for a multiplicity of individual beams (39) for irradiating a mask plane (44) of a projection exposure apparatus for microlithography, and also comprising a manipulator system (28) having a plurality of manipulator degrees of freedom and serving for altering the configuration of the illumination beam path (34), is provided. The illumination beam path extends from a radiation source (18) of the individual beams (39) up to and including the mask plane (44). The method comprises the following steps: selecting one or more of the individual beams (39), one or more reference surfaces (23; 31; 41; 44; 45) extending transversely with respect to the illumination beam path, and one or more irradiation points (31-1, 31-5, 31-8; 31-2; 41-1, 41-3; 44-1, 44-3; 45-1, 45-3; 84) of the selected individual beam(s) on the selected reference surface(s), determining a relevant setpoint value (75) of at least one geometric state parameter of the corresponding individual beam (39) at the selected irradiation point(s) by means of ray tracing calculation on the basis of optical design data (79) of the illumination system, determining a relevant measurement value (74) of the at least one geometric state parameter at the selected irradiation point(s) by means of optical measurement, and ascertaining travel settings (76) for the manipulator degrees of freedom of the manipulator system (28) for approximating the at least one geometric state parameter at the selected irradiation point(s) to the relevant setpoint value (75).
(FR) La présente invention concerne un procédé de réglage d'un système d'éclairage (20) comprenant un trajet du faisceau d'éclairage (34) pour une pluralité de faisceaux individuels (39) permettant d'éclairer un plan du masque (44) d'une installation d'exposition par projection pour la microlithographie et un système de manipulation (28) comportant une pluralité de degrés de liberté du manipulateur pour modifier la configuration du trajet du faisceau d'éclairage (34) est fourni. Le trajet du faisceau d'éclairage s'étend d'une source de rayonnement (18) des faisceaux individuels (39) jusqu'au plan du masque (44) inclus. Le procédé comprend les étapes suivantes : sélectionner un ou plusieurs faisceaux individuels (39), une ou plusieurs surfaces de référence (23 ; 31 ; 41 ; 44 ; 45) s'étendant de manière transversale au trajet du faisceau d'éclairage et un ou plusieurs points d'éclairage (31 -1, 31 -5, 31-8 ; 31-2 ; 41-1, 41 -3 ; 44-1, 44-3 ; 45-1, 45-3 ; 84) du ou des faisceaux individuels sélectionnés sur la ou les surfaces de référence sélectionnées, déterminer une valeur de consigne respective (75) d'au moins un paramètre d'état géométrique du faisceau individuel correspondant (39) au(x) point(s) d'éclairage sélectionné(s) par calcul de traçabilité du faisceau à partir des données de conception optique (79) du système d'éclairage, déterminer une valeur de mesure respective (74) d'au moins un paramètre d'état géométrique au(x) point(s) d'éclairage sélectionné(s) par mesure optique, et déterminer les réglages de trajet raides (76) pour les degrés de liberté du manipulateur du système de manipulation (28) permettant de rapprocher au moins un paramètre d'état géométrique au(x) point(s) d'éclairage sélectionné(s) à la valeur de consigne respective (75).
(DE) Ein Verfahren zum Justieren eines Beleuchtungssystems (20), welches einen Beleuchtungstrahlengang (34) für eine Vielzahl von Einzelstrahlen (39) zum Anstrahlen einer Maskenebene (44) einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie sowie ein mehrere Manipulatorfreiheitsgrade aufweisendes Manipulatorsystem (28) zur Veränderung der Konfiguration des Beleuchtungsstrahlengangs (34) umfasst, wird bereitgestellt. Der Beleuchtungsstrahlengang erstreckt sich von einer Strahlungsquelle (18) der Einzelstrahlen (39) bis einschließlich zur Maskenebene (44). Das Verfahren umfasst die Schritte: Auswählen eines oder mehrerer der Einzelstrahlen (39), einer oder mehrerer sich quer zum Beleuchtungsstrahlengang erstreckender Referenzflächen (23; 31; 41; 44; 45) sowie eines oder mehrerer Anstrahlpunkte (31 -1, 31 -5, 31-8; 31-2; 41-1, 41 -3; 44-1, 44-3; 45-1, 45-3; 84) des oder der ausgewählten Einzelstrahlen auf der oder den ausgewählten Referenzflächen, Bestimmen eines jeweiligen Sollwertes (75) mindestens eines geometrischen Zustandsparameters des entsprechenden Einzelstrahls (39) an dem oder den ausgewählten Anstrahlpunkten mittels Strahlrückverfolgungsrechnung anhand optischer Designdaten (79) des Beleuchtungssystems, Bestimmen eines jeweiligen Messwertes (74) des mindestens einen geometrischen Zustandsparameters an dem oder den ausgewählten Anstrahlpunkten mittels optischer Messung, sowie Ermitteln von Steilwegseinstellungen (76) für die Manipulatorfreiheitsgrade des Manipulatorsystems (28) zur Annäherung des mindestens einen geometrischen Zustandsparameters an dem oder den ausgewählten Anstrahlpunkten an den jeweiligen Sollwert (75).
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)