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1. (WO2018235415) PHYSICAL QUANTITY SENSOR
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Veröff.-Nr.: WO/2018/235415 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/015931
Veröffentlichungsdatum: 27.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 18.04.2018
IPC:
G01L 1/14 (2006.01) ,G01L 9/00 (2006.01) ,H01L 29/84 (2006.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
L
Messen von Kraft, mechanischer Spannung, Drehmoment, Arbeit, mechanischer Leistung, mechanischem Wirkungsgrad oder des Drucks von Fluiden
1
Kraftmessung oder Messen der mechanischen Spannung allgemein
14
durch Messen der Änderungen der Kapazität oder Induktivität elektrischer Bauteile, z.B. durch Messen der Frequenzänderungen elektrischer Oszillatoren
G Physik
01
Messen; Prüfen
L
Messen von Kraft, mechanischer Spannung, Drehmoment, Arbeit, mechanischer Leistung, mechanischem Wirkungsgrad oder des Drucks von Fluiden
9
Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische, druckempfindliche Elemente; Übertragen oder Anzeigen der Verschiebung druckempfindlicher Elemente, verwendet zum Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische Einrichtungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
84
steuerbar allein durch Änderung von angewendeten mechanischen Kräften, z.B. durch Druck
Anmelder:
パナソニックIPマネジメント株式会社 PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 大阪府大阪市中央区城見2丁目1番61号 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207, JP
Erfinder:
城石 久徳 SIROISI Hisanori; --
荻原 淳 OGIHARA Jun; --
牛山 直樹 USHIYAMA Naoki; --
Vertreter:
鎌田 健司 KAMATA Kenji; JP
前田 浩夫 MAEDA Hiroo; JP
Prioritätsdaten:
2017-12148721.06.2017JP
Titel (EN) PHYSICAL QUANTITY SENSOR
(FR) CAPTEUR DE QUANTITÉ PHYSIQUE
(JA) 物理量センサ
Zusammenfassung:
(EN) This physical quantity sensor detects a physical quantity. The physical quantity sensor comprises: a first substrate; an electrode formed on the first substrate; a diaphragm formed of a semiconductor material; a second substrate fixed to the first substrate; a dielectric film formed on the diaphragm; and a wall positioned between the dielectric film and the electrode. The diaphragm deflects in accordance with the physical quantity. The second substrate supports the diaphragm such that the diaphragm has an opposing surface opposing the electrode across a space. The dielectric film is formed on the opposing surface of the diaphragm. The wall demarcates the space. The dielectric film has a surface opposing the electrode across the space. The wall includes a first protrusion and a second protrusion. The first protrusion protrudes towards the electrode from the surface of the dielectric film. The second protrusion protrudes towards the electrode from the first protrusion and contacts the electrode. The second protrusion is formed from a material different than the material of the dielectric film and is made of nitride.
(FR) La présente invention concerne un capteur de quantité physique qui détecte une quantité physique. Le capteur de quantité physique comprend : un premier substrat ; une électrode formée sur le premier substrat ; un diaphragme formé d’un matériau semi-conducteur ; un deuxième substrat fixé au premier substrat ; un film diélectrique formé sur le diaphragme ; et une paroi positionnée entre le film diélectrique et l’électrode. Le diaphragme est dévié en fonction de la quantité physique. Le deuxième substrat soutient le diaphragme de sorte que le diaphragme ait une surface opposée faisant face à l’électrode de part et d’autre d’un espace. Le film diélectrique est formé sur la surface opposée du diaphragme. La paroi délimite l’espace. Le film diélectrique a une surface opposée à l’électrode de part et d’autre de l’espace. La paroi comprend une première saillie et une deuxième saillie. La première saillie fait saillie vers l’électrode depuis la surface du film diélectrique. La deuxième saillie fait saillie vers l’électrode depuis la première saillie et vient en contact avec l’électrode. La deuxième saillie est formée d’un matériau différent du matériau du film diélectrique et est constituée de nitrure.
(JA) 物理量センサは物理量を検出する。この物理量センサは、第1基板と、第1基板に形成されている電極と、半導体材料により形成されたダイヤフラムと、第1基板に固定されている第2基板と、ダイヤフラムに形成されている誘電体膜と、誘電体膜と電極との間に位置する壁部とを備える。ダイヤフラムは上記物理量に応じて撓む。第2基板は、ダイヤフラムが電極に対して空間を介して対向する対向面を有するようにダイヤフラムを支持する。誘電体膜は、ダイヤフラムの対向面に形成されている。壁部は、上記空間を画定する。誘電体膜は空間を介して電極に対向する面を有する。壁部は第1突部と第2突部とを有する。第1突部は、誘電体膜の面から電極に向かって突出している。第2突部は、第1突部から電極に向かって突出し電極に接触している。第2突部は誘電体膜の材料と異なりかつ窒化物よりなる。
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African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)