Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2018234389) BEHEIZBARER WAFERTRÄGER UND BEARBEITUNGSVERFAHREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2018/234389 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/066442
Veröffentlichungsdatum: 27.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 20.06.2018
IPC:
H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/687 (2006.01) ,C23C 16/46 (2006.01) ,H01L 23/34 (2006.01) ,C23C 16/458 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
683
zum Aufnehmen oder Greifen
687
mit mechanischen Mitteln, z.B. Halte-, Klemm- oder Pressvorrichtungen
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
46
gekennzeichnet durch das Verfahren zum Erhitzen des Substrats
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
34
Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
16
Chemisches Beschichten durch Zersetzen gasförmiger Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug, d.h. Verfahren zur chemischen Abscheidung aus der Dampfphase [chemical vapour deposition = CVD]
44
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
458
gekennzeichnet durch die Art der Substrat-Halterung im Reaktionsraum
Anmelder:
MEYER BURGER (GERMANY) GMBH [DE/DE]; An der Baumschule 6 - 8 09337 Hohenstein-Ernstthal, DE
Erfinder:
ANSORGE, Erik; DE
PIETZSCH, Rocco; DE
KEHR, Mirko; DE
RASCHKE, Sebastian; DE
Vertreter:
KAILUWEIT & UHLEMANN PATENTANWÄLTE PARTNERSCHAFT MBB; Bamberger Straße 49 01187 Dresden, DE
Prioritätsdaten:
17177361.722.06.2017EP
Titel (EN) HEATABLE WAFER CARRIER AND PROCESSING METHOD
(FR) SUPPORT DE PLAQUETTES CHAUFFANT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT
(DE) BEHEIZBARER WAFERTRÄGER UND BEARBEITUNGSVERFAHREN
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a heatable wafer carrier for heating wafers in conjunction with a processing method for at least one wafer receivable on the wafer carrier with a heating plate provided opposite a rear side of the wafer. The problem addressed by the invention is that of proposing easily constructed heatable wafer carriers that enable wafer processing with good temperature homogeneity and that also can be formed as flat wafer carriers for more than one wafer. The problem addressed by the invention is solved by a heatable wafer carrier in which the heating plate has a large emissivity for thermal radiation and at least one heating element is arranged on the heating plate rear side, wherein the heating plate with the heating element forms an integral unit, and wherein the large emissivity is visible in particular at wavelength-dependent emission coefficients ε = ε(λ) > 0.7 in the wavelength range of λ = 0.8 to λ = 18 μm.
(FR) L’invention concerne un support de plaquettes chauffant servant à chauffer des plaquettes dans le cadre d’un procédé de traitement d’au moins une plaquette pouvant être logée sur le support de plaquettes présentant une plaque chauffante agencée à l’opposé d’une face arrière de la plaquette. L’invention vise à proposer un support de plaquette chauffant de conception simple, qui permette une bonne homogénéité de la température de traitement des plaquettes et qui puisse également être réalisé sous la forme d’un support de plaquettes plat pour plus d’une plaquette. Le support de plaquettes chauffant selon l’invention atteint cet objectif en ce que la plaque chauffante présente une émissivité élevée de rayonnement thermique, et en ce qu'au moins un élément chauffant est agencé sur la face arrière de la plaque chauffante, l’émissivité élevée apparaissant en particulier à des coefficients d’émissivité ε = ε(λ) > 0,7 fonction de la longueur d'onde, dans la plage de longueur d’onde de λ = 0,8 à λ = 18 μm.
(DE) Die Erfindung betrifft einen beheizbaren Waferträger zum Heizen von Wafern im Zusammenhang mit einem Bearbeitungsverfahren wenigstens eines auf dem Waferträger aufnehmbaren Wafers mit einer gegenüber einer Rückseite des Wafers vorgesehenen Heizplatte. Es ist die Aufgabe der Erfindung, einfach aufgebaute beheizbare Waferträger vorzuschlagen, die eine Waferbearbeitung mit einer guten Temperaturhomogenität ermöglichen und die auch als ebene Waferträger für mehr als einen Wafer ausbildbar sind. Die Aufgabe der Erfindung wird mit einem beizbaren Waferträger gelöst, bei dem die Heizplatte eine große Emissivität für Wärmestrahlung hat und auf der Heizplattenrückseite wenigstens ein Heizelement angeordnet ist, wobei die Heizplatte mit dem Heizelement eine integrale Einheit bildet und wobei die große Emissivität insbesondere an wellenlängenabhängigen Emissionskoeffizienten ε = ε(λ) > 0,7 in dem Wellenlängenbereich von λ = 0,8 bis λ = 18 μm ersichtlich ist.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)