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1. (WO2018234233) SCHICHTWIDERSTAND UND DÜNNFILMSENSOR
Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

Patentansprüche

1. Schichtwiderstand (10) aufweisend eine piezoresistive Schicht, wobei die piezoresistive Schicht (11) ein erstes Ubergangsmetallcarbid umfasst.

2. Schichtwiderstand (10) gemäß Anspruch 1,

wobei das erste Ubergangsmetallcarbid ein

Übergangsmetall enthält, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta, W und

Kombinationen daraus umfasst.

3. Schichtwiderstand (10) gemäß einem der vorherigen

Ansprüche, wobei das erste Ubergangsmetallcarbid Cr3Ü2 ist .

4. Schichtwiderstand (10) gemäß einem der vorherigen

Ansprüche, wobei das erste Ubergangsmetallcarbid einen Übergangsmetallüberschuss aufweist .

5. Schichtwiderstand (10) gemäß einem der vorherigen

Ansprüche,

wobei die piezoresistive Schicht (11) aus dem ersten Ubergangsmetallcarbid besteht.

6. Schichtwiderstand (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die piezoresistive Schicht (11) zumindest ein Zusatzmaterial aufweist, das aus Übergangsmetallnitriden, zweiten Übergangsmetallcarbiden und Mischungen daraus ausgewählt ist.

7. Schichtwiderstand (10) nach dem vorherigen Anspruch, wobei das Zusatzmaterial Wolframcarbid ist.

Schichtwiderstand (10) nach einem der Ansprüche 6 oder 7, wobei das erste Übergangsmetallcarbid und das

Zusatzmaterial einen Mischkristall bilden.

Schichtwiderstand (10) gemäß einem der vorherigen

Ansprüche, wobei das erste Übergangsmetallcarbid

polykristallin ist.

Schichtwiderstand (10) gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei die Kristalle des ersten Übergangsmetallcarbids an ihrer Oberfläche eine Oxidschicht aufweisen.

Schichtwiderstand (10) gemäß einem der vorherigen

Ansprüche, wobei die piezoresistive Schicht (11) einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zwischen

einschließlich 9 ppm/K und einschließlich 15 ppm/K aufweist .

Schichtwiderstand (10) gemäß einem der vorherigen

Ansprüche,

weiterhin aufweisend elektrische Kontakte (40), die das erste Übergangsmetallcarbid aufweisen.

Dünnfilmsensor aufweisend einen Schichtwiderstand (10) gemäß einem der vorherigen Ansprüche.

Dünnfilmsensor gemäß dem vorherigen Anspruch,

aufweisend eine Membran (20), auf der der

Schichtwiderstand (10) angeordnet ist, und einen

Trägerkörper (30), an dem die Membran (20) befestigt ist, wobei die Membran (20) relativ zu dem Trägerkörper (30) beweglich ist.

15. Dünnfilmsensor gemäß dem vorherigen Anspruch, wobei die Membran (20) und der Trägerkörper (30) ein Material aufweisen, das aus Keramik und Metall ausgewählt ist.

16. Dünnfilmsensor gemäß dem vorherigen Anspruch,

wobei die Membran (20) und der Trägerkörper (30) ein Material aufweisen, das aus Edelstahl und Yttrium stabilisiertem Zirkoniumoxid ausgewählt ist.

17. Dünnfilmsensor gemäß einem der Ansprüche 12 bis 15,

aufweisend mindestens zwei Schichtwiderstände (10) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 11.

18. Dünnfilmsensor gemäß dem vorhergehenden Anspruch, wobei einer der Schichtwiderstände (10) zur Temperaturmessung ausgebildet ist.