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1. (WO2018234160) HALBLEITERDISPLAY, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG SOLCHER
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Veröff.-Nr.: WO/2018/234160 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/065866
Veröffentlichungsdatum: 27.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 14.06.2018
IPC:
H01L 27/15 (2006.01) ,H01L 33/08 (2010.01) ,H01L 33/18 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
15
mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
08
mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
16
mit besonderer Kristallstruktur oder -orientierung, z.B. polykristallin, amorph oder porös
18
innerhalb des lichtemittierenden Bereichs
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
HERRMANN, Siegfried; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 113 745.921.06.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DISPLAY, OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) AFFICHAGE À SEMI-CONDUCTEUR, COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
(DE) HALBLEITERDISPLAY, OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG SOLCHER
Zusammenfassung:
(EN) In one embodiment, the semiconductor display (10) comprises a multiplicity of semiconductor columns (2) and also first and second contact strips (3, 4). The semiconductor columns (2) each comprise a semiconductor core (21) of a first conductivity type and a semiconductor shell (23) of a second conductivity type, which is different from the first conductivity type, and also an intervening active layer (22) for generating radiation. The semiconductor columns (2) each comprise an energization shell (24) applied to the relevant semiconductor shell (23) for energization purposes. The semiconductor columns (2) are drivable individually or in small groups (29) via the first and second electrical contact strips (3, 4) electrically independently of one another.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un affichage à semi-conducteur (10) comprenant une pluralité de colonnes semi-conductrices (2) ainsi que des premières et deuxièmes réglettes de contact (3, 4) électriques. Les colonnes semi-conductrices (2) comprennent respectivement un cœur semi-conducteur (21) d'un premier type de conductivité et une enveloppe semi-conductrice (23) d'un deuxième type de conductivité, différent du premier type de conductivité, ainsi qu'une couche active (22) intermédiaire pour générer un rayonnement. Les colonnes semi-conductrices (2) comprennent respectivement une enveloppe d'alimentation en courant (24), qui est appliquée à l'enveloppe semi-conductrice (23) respective pour l'alimenter en courant. Les colonnes semi-conductrices (2) peuvent être commandées indépendamment les unes des autres ou par petits groupes (29) à l'aide des premières et deuxièmes réglettes de contact (3, 4) électriques de manière électriquement indépendamment les unes des autres.
(DE) In einer Ausführungsform umfasst das Halbleiterdisplay (10) eine Vielzahl von Halbleitersaulen (2) sowie erste und zweite elektrische Kontaktleisten (3, 4). Die Halbleitersaulen (2) umfassen je einen Halbleiterkern (21) eines ersten Leitfähigkeitstyps und eine Halbleiterhülle (23) eines vom ersten verschiedenen, zweien Leitfähigkeitstyps sowie eine dazwischenliegende aktive Schicht (22) zur Strahlungserzeugung. Die Halbleitersäulen (2) umfassen je eine Bestromungshülle (24), die zur Bestromung auf die jeweilige Halbleiterhülle (23) aufgebracht ist. Die Halbleitersäulen (2) sind einzeln oder in kleinen Gruppen (29) über die ersten und zweiten elektrischen Kontaktleisten (3, 4) elektrisch unabhängig voneinander ansteuerbar.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)