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1. (WO2018234159) HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
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Veröff.-Nr.: WO/2018/234159 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/065861
Veröffentlichungsdatum: 27.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 14.06.2018
IPC:
H01L 33/02 (2010.01) ,H01S 5/30 (2006.01) ,H01L 33/04 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
30
Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
04
mit Quanteneffekt- oder Übergitterstruktur, z.B. Tunnelübergang
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
KOSLOW, Ingrid; DE
DRAGO, Massimo; DE
HERTKORN, Joachim; DE
FREY, Alexander; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 113 765.321.06.2017DE
10 2017 121 484.415.09.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR BODY
(FR) CORPS SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN CORPS SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERKÖRPER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a semiconductor body (1) comprising a III-V-compound semiconductor material having a p-conductive region (10), which is doped by a p-dopant, wherein the p-conductive region (10) comprises at least one first (101), one second (102) and one third (103) portion, the second portion (102) is arranged between the first (101) and the third portion (103), the second second portion (102) directly adjoins the first (101) and the third (103) portion, and the indium concentration (I) of at least one of the portions (101, 102, 103) differs from the indium concentrations (I) of the other two portions (101, 102, 103).
(FR) L'invention concerne un corps semi-conducteur (1) comprenant un matériau semi-conducteur composé III-V doté d'une zone conductrice de type p (10), qui est dopée avec une matière de dopage de type p, la zone conductrice de type p (10) comportant au moins une première partie (101), une deuxième partie (102) et une troisième partie (103), la deuxième partie (102) étant disposée entre la première partie (101) et la troisième partie (103), la deuxième partie (102) étant directement adjacente à la première partie (101) et à la troisième partie (103) et la concentration en indium (I) d'au moins une des parties (101, 102, 103) étant différente des concentrations en indium (I) des deux autres parties (101, 102, 103).
(DE) Die Erfindung betrifft einen Halbleiterkörper (1) umfassend ein III-V-Verbindungshalbleitermaterial mit einem p-leitenden Bereich (10), der mit einem p-Dotierstoff dotiert ist, wobei der p-leitende Bereich (10) zumindest einen ersten (101), einen zweiten (102) und einen dritten (103) Abschnitt umfasst, der zweite Abschnitt (102) zwischen dem ersten (101) und dem dritten Abschnitt (103) angeordnet ist, der zweite Abschnitt (102) direkt an den ersten (101) und den dritten (103) Abschnitt angrenzt, und die Indiumkonzentration (I) zumindest einer der Abschnitte (101, 102, 103) unterschiedlich von den Indiumkonzentrationen (I) der anderen beiden Abschnitte (101, 102, 103) ist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)