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1. (WO2018234123) HALBLEITER-LICHTSENSOR
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Veröff.-Nr.: WO/2018/234123 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/065695
Veröffentlichungsdatum: 27.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 13.06.2018
IPC:
H01L 31/0216 (2014.01) ,H01L 27/146 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0216
Beschichtungen, Überzüge
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
DIETZE, Daniel; DE
BÖSCKE, Tim; DE
ZINKL, Wolfgang; DE
Vertreter:
ZACCO PATENT- UND RECHTSANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Bayerstrasse 83 80335 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 113 535.920.06.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT SENSOR
(FR) CAPTEUR À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITER-LICHTSENSOR
Zusammenfassung:
(EN) In one embodiment, the semiconductor sensor (1) comprises a detector chip (2) for detecting green light, for instance, and also an interference filter (3), which is positioned optically upstream of the detector chip (2) and which is in particular transmissive for green light and non-transmissive and reflective for red light and near-infrared radiation. A color filter (4) is positioned optically upstream of the interference filter (3). The color filter (4) has a transparency of at least 60% in particular for green light and has an absorbing effect in particular for red light and near-infrared radiation. The semiconductor sensor (1) appears gray or black to an observer in the region of the interference filter (3) in an angle-independent manner.
(FR) Selon un mode de réalisation, la présente invention concerne un capteur à semi-conducteur (1) comprenant une puce de détection (2) pour détecter la lumière verte ainsi qu'un filtre d'interférence (3), qui précède optiquement la puce de détection (2) et qui est transparent, en particulier pour la lumière verte, et opaque pour la lumière rouge et pour le rayonnement infrarouge proche ainsi que réfléchissant. Un filtre de couleur (4) est précédé optiquement par le filtre d'interférence (3). Le filtre de couleur (4) présente, en particulier pour la lumière verte, une transparence d'au moins 60% et ledit filtre de couleur a un effet absorbant, en particulier pour la lumière rouge et pour le rayonnement infrarouge proche. Le capteur à semi-conducteur (1) apparaît, aux yeux d'un observateur, dans la zone du filtre interférentiel (3), quel que soit l'angle, gris ou noir.
(DE) In einer Ausführungsform umfasst der Halbleitersensor (1) einen Detektorchip (2) zur Detektion etwa von grünem Licht sowie einen Interferenzfilter (3), der dem Detektorchip (2) optisch vorangestellt ist und der insbesondere für grünes Licht durchlässig und für rotes Licht und nahinfrarote Strahlung undurchlässig sowie reflektierend ist. Ein Farbfilter (4) ist dem Interferenzfilter (3) optisch vorangestellt. Der Farbfilter (4) weist insbesondere für grünes Licht eine Transparenz von mindestens 60% auf und wirkt insbesondere für rotes Licht und nahinfrarote Strahlung absorbierend. Der Halbleitersensor (1) erscheint einem Betrachter im Bereich des Interferenzfilters (3) winkelunabhängig grau oder schwarz.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)