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1. (WO2018234121) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND DESSEN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2018/234121 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/065687
Veröffentlichungsdatum: 27.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 13.06.2018
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/64 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
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charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
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charakterisiert durch das Gehäuse
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Anordnungen für die Zu- oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
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Bestandteile zur Wärmeableitung oder zum Kühlen
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
PERZLMAIER, Korbinian; DE
EICHINGER, Christian; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 113 407.719.06.2017DE
Titel (EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ET LE PROCÉDÉ POUR SA FABRICATION
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND DESSEN VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip having the following features: - a semiconductor body (1) comprising: - an epitaxial semiconductor layer sequence (2) having an active zone (3) which is suitable for generating electromagnetic radiation, - a radiation exit surface from which the electromagnetic radiation generated during operation of the semiconductor chip is emitted, - a rear-side main surface which lies opposite the radiation exit surface, wherein - a multilayer stack (7) having a barrier layer (4, 4', 4'') and a solder layer (6) is applied to the rear-side main surface of the semiconductor body (1), - the barrier layer (4) is located between the rear-side main surface of the semiconductor body (1) and the solder layer (6), and - the solder layer (6) is freely accessible from outside. The invention also relates to a method for producing a radiation-emitting semiconductor chip and a method for producing a radiation-emitting arrangement.
(FR) L’invention concerne une puce semi-conductrice émettant un rayonnement comprenant les caractéristiques suivantes : -un corps semi-conducteur (1) comprenant : - une suite de couches semi-conductrices épitaxiales (2) comprenant une zone active (3) adaptée pour la génération d’un rayonnement électromagnétique, - une surface de sortie de rayonnement, à partir de laquelle le rayonnement électromagnétique généré durant le fonctionnement de la puce semi-conductrice est émis, - une surface principale arrière qui est opposée à la surface de sortie de rayonnement, – une pile multicouche (7) comprenant une couche barrière (4, 4', 4'') et une couche de brasure (6) étant disposée sur la surface principale arrière du corps semi-conducteur (1, - la couche barrière (4) étant disposée entre la surface principale arrière du corps semi-conducteur (1) et la couche de brasure (6), et – la couche de brasure (6) étant librement accessible depuis l’extérieur. En outre, l’invention concerne un procédé pour la fabrication d’une puce semi-conductrice émettant un rayonnement et un procédé pour la fabrication d’un dispositif émettant un rayonnement.
(DE) Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit den folgenden Merkmalen angegeben: - einem Halbleiterkörper (1) umfassend: - eine epitaktische Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktive Zone (3), die dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, - einer Strahlungsaustrittsfläche, von der die im Betrieb des Halbleiterchips erzeugte elektromagnetische Strahlung ausgesandt wird, - einer rückseitigen Hauptfläche, die der Strahlungsaustrittsfläche gegenüberliegt, wobei - ein Mehrschichtenstapel (7) mit einer Barriereschicht (4, 4', 4'') und einer Lotschicht (6) auf die rückseitige Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) aufgebracht ist, - die Barriereschicht (4) zwischen der rückseitigen Hauptfläche des Halbleiterkörpers (1) und der Lotschicht (6) angeordnet ist, und - die Lotschicht (6) von außen frei zugänglich ist. Weiterhin werden ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips und ein Verfahren zur Herstellung einer strahlungsemittierenden Anordnung angegeben.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)