Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2018234068) HALBLEITERLASERDIODE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2018/234068 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/065185
Veröffentlichungsdatum: 27.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 08.06.2018
IPC:
H01S 5/042 (2006.01) ,H01S 5/22 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
04
Verfahren oder Geräte zur Anregung, z.B. zum Pumpen
042
Elektrische Anregung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
20
Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
22
mit einer Kammstruktur [ridge structure] oder einer Streifenstruktur [stripe structure]
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
GERHARD, Sven; DE
EICHLER, Christoph; DE
LELL, Alfred; DE
STOJETZ, Bernhard; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 113 389.519.06.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR LASER DIODE
(FR) DIODE LASER SEMI-CONDUCTRICE
(DE) HALBLEITERLASERDIODE
Zusammenfassung:
(EN) A semiconductor laser diode (100) is specified, comprising a semiconductor layer sequence (2) having an active layer (3), which has a plane of principal extent and which is configured to produce light (8) within an active region (5) during operation and emit said light via a light output coupling surface (6), wherein the active region (5) extends from a back side surface (7), lying opposite the light output coupling surface (6), to the light output coupling surface (6) along a longitudinal direction (93) in the plane of principal extent, wherein the semiconductor layer sequence (2) has a surface region (20), to which a first sheathing layer (4) is applied with direct contact, wherein the first sheathing layer (4) has a transparent material made of a material system that differs from the semiconductor layer sequence (2) and wherein the first sheathing layer (4) is patterned and has a first pattern.
(FR) L’invention concerne une diode laser semi-conductrice (100) comprenant un empilement de couches semi-conductrices (2) comprenant une couche active (3) qui comporte un plan principal d’extension et qui est conçue pour, en fonctionnement, produire de la lumière (8) dans une zone active (5) et l'émettre au moyen d’une surface de sortie (6) de lumière, la zone active (5) s’étendant d’une surface arrière (7) opposée à la surface de sortie (6) de lumière à la surface de sortie (6) de lumière le long d’une direction longitudinale (93) dans le plan principal d’extension, l’empilement de couches semi-conductrices (2) comportant une zone de surface (20) sur laquelle est appliquée en contact direct une premiere couche de revêtement (4), la premiere couche de revêtement (4) comportant un matériau transparent d'un système de matériau different de l'empilement de couches semi-conductrices (2) et la première couche de revêtement (4) étant structurée et comprenant une premiere structure.
(DE) Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Schicht (3), die eine Haupterstreckungsebene aufweist und die dazu eingerichtet ist, im Betrieb in einem aktiven Bereich (5) Licht (8) zu erzeugen und über eine Lichtauskoppelfläche (6) abzustrahlen, wobei sich der aktive Bereich (5) von einer der Lichtauskoppelfläche (6) gegenüberliegenden Rückseitenfläche (7) zur Lichtauskoppelfläche (6) entlang einer longitudinalen Richtung (93) in der Haupterstreckungsebene erstreckt, wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) einen Oberflächenbereich (20) aufweist, auf dem in unmittelbarem Kontakt eine erste Mantelschicht (4) aufgebracht ist, wobei die erste Mantelschicht (4) ein transparentes Material aus einem von der Halbleiterschichtenfolge (2) verschiedenen Materialsystem aufweist und wobei die erste Mantelschicht (4) strukturiert ist und eine erste Struktur aufweist.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)