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1. (WO2018226284) ULTRA-LOW POWER MAGNETOELECTRIC MAGNETIC FIELD SENSOR
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Veröff.-Nr.: WO/2018/226284 Internationale Anmeldenummer PCT/US2018/022145
Veröffentlichungsdatum: 13.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 13.03.2018
IPC:
G01R 33/032 (2006.01) ,G01R 33/18 (2006.01) ,G01R 33/00 (2006.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
R
Messen elektrischer Größen; Messen magnetischer Größen
33
Anordnungen oder Instrumente zum Messen magnetischer Größen
02
Messen der Richtung oder des Betrages von magnetischen Feldern oder des magnetischen Kraftflusses
032
mit magneto-optischen Vorrichtungen, z.B. mit Faraday-Effekt
G Physik
01
Messen; Prüfen
R
Messen elektrischer Größen; Messen magnetischer Größen
33
Anordnungen oder Instrumente zum Messen magnetischer Größen
12
Messen magnetischer Eigenschaften von Gegenständen oder Proben von festen Körpern oder fließfähigen Stoffen
18
Messen magnetostriktiver Kenngrößen
G Physik
01
Messen; Prüfen
R
Messen elektrischer Größen; Messen magnetischer Größen
33
Anordnungen oder Instrumente zum Messen magnetischer Größen
Anmelder:
THE GOVERNMENT OF THE UNITED STATES OF AMERICA, AS REPRESENTED BY THE SECRETARY OF THE NAVY [US/US]; Naval Research Laboratory 875 North Randolph Street, Suite 1425 Arlington, VA 22203, US
CARNEGIE MELLON UNIVERSITY; 5000 Forbes Avenue Pittsburgh, PA 15213, US
Erfinder:
FINKEL, Peter; US
BENNETT, Steven, P.; US
STARUCH, Margo; US
BUSSMANN, Konrad; US
BALDWIN, Jeffrey, W.; US
MATIS, Bernard, R.; US
LACOMB, Ronald; US
ZAPPONE, William; US
LACOMB, Julie; US
METZLER, Meredith; US
GOTTRON, Norman; US
Vertreter:
BROOME, Kerry, L.; US
Prioritätsdaten:
62/470,48913.03.2017US
Titel (EN) ULTRA-LOW POWER MAGNETOELECTRIC MAGNETIC FIELD SENSOR
(FR) CAPTEUR DE CHAMP MAGNÉTIQUE MAGNÉTOÉLECTRIQUE À ULTRA-FAIBLE PUISSANCE
Zusammenfassung:
(EN) A high-sensitivity and ultra-low power consumption magnetic sensor using a magnetoelectric (ME) composite comprising of magnetostrictive and piezoelectric layers. This sensor exploits the magnetically driven resonance shift of a free-standing magnetoelectric micro-beam resonator. Also disclosed is the related method for making an on-chip micro-resonator magnetic sensor.
(FR) L'invention concerne un capteur magnétique à haute sensibilité et à ultra-faible consommation de puissance utilisant un composite magnétoélectrique (ME) comprenant des couches magnétostrictives et piézoélectriques. Ledit capteur exploite le décalage de résonance à guidage magnétique d'un résonateur à micro-faisceau magnétoélectrique autonome. L'invention concerne également le procédé de fabrication associé d'un capteur magnétique de micro-résonateur sur puce.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)