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1. (WO2018226049) SEMICONDUCTOR DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/226049 Internationale Anmeldenummer PCT/KR2018/006484
Veröffentlichungsdatum: 13.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 07.06.2018
IPC:
H01L 33/40 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/22 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
40
Materialien hierfür
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
62
Anordnungen für die Zu- oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
14
mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
20
mit besonderer Form, z.B. gewölbte oder angeschrägte Substrate
22
Aufgeraute Oberflächen, z.B. an der Grenzfläche zwischen epitaktischen Schichten
Anmelder:
엘지이노텍 주식회사 LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; 서울시 중구 후암로 98 98, Huam-ro, Jung-gu, Seoul 04637, KR
Erfinder:
박덕현 PARK, Duk Hyun; KR
정병학 JEONG, Byung Hak; KR
Vertreter:
특허법인(유)화우 YOON & YANG (IP) LLC; 서울시 강남구 테헤란로 108길 11, 4층 (대치동, 삼호빌딩) (Samho Bldg., Daechi-dong) 4th Fl., 11, Teheran-ro 108-gil Gangnam-gu Seoul 06175, KR
Prioritätsdaten:
10-2017-007076407.06.2017KR
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(KO) 반도체 소자
Zusammenfassung:
(EN) A semiconductor device according to the present invention comprises: a conductive substrate; a semiconductor structure disposed on the conductive substrate and comprising a first conductive-type semiconductor layer, a second conductive-type semiconductor layer, and an active layer disposed between the first conductive-type semiconductor layer and the second conductive-type semiconductor layer; and a first electrode disposed on the semiconductor structure and electrically connected to the first conductive-type semiconductor layer, wherein the semiconductor structure further comprises a 1-1 conductive-type semiconductor layer between the first conductive-type semiconductor layer and the first electrode; and the top surface of the semiconductor structure comprises a flat part, on which the first electrode is disposed, and a concave-convex part surrounding the flat part, wherein a second distance, which is from the bottom surface of the semiconductor structure to the bottom surface of the concave-convex part contacting a side surface of the flat part, may be between 70% or more and 95% or less with respect to a first distance, which is from the bottom surface of the semiconductor structure to the top surface of the 1-1 conductive-type semiconductor layer. The present invention may enhance light flux by improving the current spreading phenomenon of the semiconductor device.
(FR) Un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention comprend : un substrat conducteur; une structure semi-conductrice disposée sur le substrat conducteur et comprenant une couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité, une couche semi-conductrice d'un second type de conductivité, et une couche active disposée entre la couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité et la couche semi-conductrice d'un second type de conductivité, et une première électrode disposée sur la structure semi-conductrice et connectée électriquement à la couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité, la structure semi-conductrice comprenant en outre une couche semi-conductrice de type de conductivité 1-1 entre la couche semi-conductrice d'un premier type de conductivité et la première électrode; et la surface supérieure de la structure semi-conductrice comprend une partie plate sur laquelle la première électrode est disposée, et une partie concave-convexe entourant la partie plate, une seconde distance, qui s'étend de la surface inférieure de la structure semi-conductrice à la surface inférieure de la partie concave-convexe en contact avec une surface latérale de la partie plate, peut être comprise entre 70 % ou plus et 95 % ou moins par rapport à une première distance, qui s'étend de la surface inférieure de la structure semi-conductrice à la surface supérieure de la couche semi-conductrice de type de conductivité 1-1. La présente invention peut renforcer le flux lumineux en améliorant le phénomène d'étalement d'intensité de courant du dispositif à semi-conducteur.
(KO) 본 발명에 따른 반도체소자는 도전성 기판; 상기 도전성 기판 상에 배치되며, 제1도전형 반도체층, 제2도전형 반도체층 및 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제2도전형 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 반도체 구조물; 및 상기 반도체 구조물 상에 배치되며, 상기 제1도전형 반도체층과 전기적으로 연결되는 제1전극; 상기 반도체구조물은 상기 제1도전형 반도체층과 상기 제1전극 사이에 제1-1도전형 반도체층을 더 포함하고, 상기 반도체 구조물의 상면은 상기 제1전극이 배치되는 평탄부, 상기 평탄부를 감싸는 요철부를 포함하며, 상기 반도체구조물의 저면에서 상기 제1-1도전형 반도체층의 상면까지의 제1거리 대비 상기 반도체구조물의 저면에서 평탄부의 측면에 접하는 요철부의 저면까지의 제2거리가 70% 이상 내지 95% 이하일 수 있다. 본 발명은 반도체소자의 전류퍼짐현상을 개선하여 광속을 향상시킬 수 있다.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Koreanisch (KO)
Anmeldesprache: Koreanisch (KO)