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1. (WO2018224927) MEMRISTIVE STRUCTUE
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Veröff.-Nr.: WO/2018/224927 Internationale Anmeldenummer PCT/IB2018/053936
Veröffentlichungsdatum: 13.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 01.06.2018
IPC:
H01L 27/12 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
12
wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. ein isolierender Körper
Anmelder:
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, New York 10504, US
IBM UNITED KINGDOM LIMITED [GB/GB]; PO Box 41, North Harbour Portsmouth Hampshire PO6 3AU, GB (MG)
IBM (CHINA) INVESTMENT COMPANY LIMITED [CN/CN]; 25/F, Pangu Plaza No.27, Central North 4th Ring Road, Chaoyang District, Beijing 100101, CN (MG)
Erfinder:
BREW, Kevin; US
NEWNS, Dennis; US
KIM, Seyoung; US
GERSHON, Talia, Simcha; US
TODOROV, Teodor, Krassimirov; US
Vertreter:
LITHERLAND, David; GB
Prioritätsdaten:
15/616,32007.06.2017US
Titel (EN) MEMRISTIVE STRUCTUE
(FR) STRUCTURE MEMRISTIVE
Zusammenfassung:
(EN) A method of fabricating a memristive structure for symmetric modulation between resistance states is presented. The method includes forming a first electrode and a second electrode over an insulating substrate, forming an anode contacting the first and second electrodes, forming an ionic conductor over the anode, forming a cathode of the same material as the anode over the ionic conductor, forming a third electrode over the cathode, and enabling bidirectional transport of ions between the anode and cathode resulting in a resistance adjustment of the memristive structure, the anode and the cathode being formed from metastable mixed conducting materials with ion concentration dependent conductivity.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure memristive de modulation symétrique entre des états de résistance. Le procédé consiste à former une première électrode et une deuxième électrode sur un substrat isolant, à former une anode en contact avec les première et deuxième électrodes, à former un conducteur ionique sur l'anode, à former une cathode du même matériau que l'anode sur le conducteur ionique, à former une troisième électrode sur la cathode, et à permettre un transport bidirectionnel d'ions entre l'anode et la cathode, ce qui entraîne un ajustement de résistance de la structure memristive, l'anode et la cathode étant formées à partir de matériaux conducteurs mélangés métastables ayant une conductivité dépendant de la concentration ionique.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)