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1. (WO2018224480) LEISTUNGSUMRICHTERMODUL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2018/224480 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/064728
Veröffentlichungsdatum: 13.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 05.06.2018
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H02M 7/00 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
07
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L29/87
H Elektrotechnik
02
Erzeugung, Umwandlung oder Verteilung von elektrischer Energie
M
Anlagen zur Umformung von Wechselstrom in Wechselstrom, von Wechselstrom in Gleichstrom oder umgekehrt, oder von Gleichstrom in Gleichstrom und zur Verwendung in Netzen oder ähnlichen Stromversorgungssystemen; Umformung von Gleichstrom- oder Wechselstromeingangsleistung in Stoß-Ausgangsleistung; Steuern oder Regeln derselben
7
Umformung von Wechselstrom in Gleichstrom; Umformung von Gleichstrom in Wechselstrom
Anmelder:
BAYERISCHE MOTOREN WERKE AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Petuelring 130 80809 München, DE
Erfinder:
RICHTER, Rene; DE
SCHIMANEK, Thomas; DE
Prioritätsdaten:
10 2017 209 515.606.06.2017DE
Titel (EN) POWER CONVERTER MODULE AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
(FR) MODULE CONVERTISSEUR DE PUISSANCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DERNIER
(DE) LEISTUNGSUMRICHTERMODUL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a power semiconductor module and to a corresponding product method. The power semiconductor module has a plurality of power switches, wherein a first subset of the power switches is part of a first current branch. A second subset of the power switches is part of a second current branch. The first current branch and the second current branch together form a half-bridge connected in parallel with a first and second d.c. voltage connection. An individual current path, which extends between the d.c. voltage connections and an a.c. voltage connection and is assigned to the power switch, is defined in each of the two current branches by each individual one of the associated power switches. Within the current branches, the associated power switches are symmetrically arranged relative to the d.c. voltage connections and are connected in such a way that a current density which is formed during the high frequency operation of the power semiconductor module and/or during operation of the power switch with a high voltage gradient is homogeneously distributed into the individual current paths in each case associated with one of the power switches.
(FR) L'invention concerne un module semi-conducteur de puissance ainsi qu'un procédé de fabrication correspondant. Le module semi-conducteur de puissance comporte une multitude de disjoncteurs, un premier sous-ensemble des disjoncteurs faisant partie d'une première branche de courant. Un deuxième sous-ensemble des disjoncteurs fait partie d'une deuxième branche de courant. La première branche de courant et la deuxième branche de courant forment conjointement un demi-pont branché de manière parallèle à une première et deuxième borne de tension continue. Un chemin de courant unique s'étendant entre les bornes de tension continue et une borne de tension alternative, associé au disjoncteur est défini dans chacune des deux branches de courant par chaque disjoncteur individuel des disjoncteurs associés. Les disjoncteurs associés sont disposés de manière symétrique à l'intérieur des branches de courant par rapport aux bornes de tension continue et sont interconnectés de telle manière qu'une densité de courant formée dans le mode de fonctionnement à hautes fréquences du module semi-conducteur de puissance et/ou lors du fonctionnement des disjoncteurs à des gradients de tension élevés dans les divers chemins de courant associés respectivement à un des disjoncteurs est répartie au moins sensiblement de manière homogène.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Leistungshalbleitermodul sowie ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Das Leistungshalbleitermodul weist eine Mehrzahl von Leistungsschaltern auf, wobei eine erste Untermenge der Leistungsschalter Teil eines ersten Stromzweig ist. Eine zweite Untermenge der Leistungsschalter ist Teil eines zweiten Stromzweigs. Der erste Stromzweig und der zweite Stromzweig bilden zusammen eine parallel zu einem ersten und zweiten Gleichspannungsanschluss geschaltete Halbbrücke. In jedem der beiden Stromzweige wird durch jeden einzelnen der zugehörigen Leistungsschalter ein zwischen den Gleichspannungsanschlüssen und einem Wechselspannungsanschluss verlaufender, dem Leistungsschalter zugeordneter einzelner Strompfad definiert. Innerhalb der Stromzweige sind die zugehörigen Leistungsschalter bezüglich der Gleichspannungsanschlüsse derart symmetrisch angeordnet und verschaltet, dass eine im Hochfrequenzbetrieb des Leistungshalbleitermoduls und/oder im Betrieb der Leistungsschalter mit hohen Spannungsgradienten in den einzelnen jeweils einem der Leistungsschalter zugeordneten Strompfade gebildete Stromdichte, zumindest im Wesentlichen, homogen verteilt ist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)