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1. (WO2018220069) HALBLEITERLICHTQUELLE

Pub. No.:    WO/2018/220069    International Application No.:    PCT/EP2018/064283
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu May 31 01:59:59 CEST 2018
IPC: F21V 33/00
F21V 5/00
G03B 15/05
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: STREPPEL, Ulrich
QUEREN, Désirée
Title: HALBLEITERLICHTQUELLE
Abstract:
In einer Ausführungsform umfasst die Halbleiterlichtquelle (1) zumindest eine erste Emissionseinheit (21), einer zweiten Emissionseinheit (22) sowie eine Optik (3). Die Optik (3) weist einen Innenbereich (31) zur Bündelung von Strahlung der ersten Emissionseinheit (21) und einen Außenbereich (32) zur Aufweitung oder Streuung von Strahlung der zweiten Emissionseinheit (22) auf. Ein erster Lichtabstrahlbereich (41) des Innenbereichs (31) überdeckt in Draufsicht gesehen die erste Emissionseinheit (21) vollständig und die zweite Emissionseinheit (22) mindestens teilweise. Ein zweiter Lichtabstrahlbereich (42) des Außenbereichs (32) liegt in Draufsicht gesehen teilweise oder vollständig neben der zweiten Emissionseinheit (22). Der Innenbereich (31) und der Außenbereich (32) weisen voneinander verschieden geformte Lichteintrittsbereiche (51, 52) auf.