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1. (WO2018219687) HALBLEITERLASER-BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASER-BAUTEILS
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Veröff.-Nr.: WO/2018/219687 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/063069
Veröffentlichungsdatum: 06.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 18.05.2018
IPC:
H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/028 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
022
Montagesockel oder Halterungen; Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
028
Beschichtungen, Überzüge
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23
Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
WOJCIK, Andreas; DE
HALBRITTER, Hubert; DE
SCHWARZ, Thomas; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 112 223.002.06.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR LASER COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LASER COMPONENT
(FR) COMPOSANT DE LASER SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT DE LASER SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERLASER-BAUTEIL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERLASER-BAUTEILS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a semiconductor laser component, comprising a semiconductor chip (1) that is configured to emit laser radiation (6), a casing (2) which is electrically insulating and covers the semiconductor chip (1) at some points, and a connection layer (3) that connects the semiconductor chip (1) to a first connection point (43a) in an electrically conductive manner, wherein the semiconductor chip (1) has a cover surface (1a), a base surface (1b), a first end surface (1c), a second end surface (1d), a first side surface (1e) and a second side surface (1f), wherein the first end surface (1c) is configured for decoupling the laser radiation (6), the casing (2) covers the semiconductor chip (1) at least at some points on the cover surface (1a), the second end surface (1d), the first side surface (1e) and the second side surface (1f), and the connection layer (3) runs on the casing (2) from the cover surface (1a) to the first connection point (43a).
(FR) L’invention concerne un composant de laser semi-conducteur comprenant – une puce semi-conductrice (1) qui est conçue pour émettre un rayonnement laser (6), – un enrobage (2) qui est électriquement isolant et recouvre par endroits la puce semi-conductrice (1), – et une couche de liaison (3) qui relie la puce semi-conductrice de manière électroconductrice (1) à un premier point de raccordement (43a). La puce semi-conductrice (1) présente une surface supérieure (1a), une surface inférieure (1b), une première surface frontale (1c), une seconde surface frontale (1d) une première surface latérale (1e) et une seconde surface latérale (1f), la première surface frontale (1c) est conçue pour l’extraction du rayonnement laser (6), l’enrobage (2) recouvre la puce semi-conductrice (1) au moins par endroits au niveau de la surface supérieure (1a), de la seconde surface frontale (1d), de la première surface latérale (1e) et de la seconde surface latérale (1f), et la couche de liaison (3) s’étend sur l’enrobage (2) à partir de la surface supérieure (1a) jusqu’au premier point de raccordement (43a).
(DE) Es wird ein Halbleiterlaser-Bauteil angegeben, mit -einem Halbleiterchip (1), der dazu eingerichtet ist, Laserstrahlung (6) zu emittieren, -einer Umhüllung (2), die elektrisch isolierend ist und den Halbleiterchip (1) stellenweise bedeckt, und -einer Verbindungschicht (3), die den Halbleiterchip (1) elektrisch leitend mit einer ersten Anschlussstelle (43a) verbindet, wobei -der Halbleiterchip (1) eine Deckfläche (1a), eine Bodenfläche (1b), eine erste Stirnfläche (1c), eine zweite Stirnfläche (1d), eine erste Seitenfläche (1e) und eine zweite Seitenfläche (1f) umfasst, -die erste Stirnfläche (1c) zur Auskopplung der Laserstrahlung (6) eingerichtet ist, -die Umhüllung (2) den Halbleiterchip (1) zumindest stellenweise an der Deckfläche (1a), der zweiten Stirnfläche (1d), der ersten Seitenfläche (1e) und der zweiten Seitenfläche (1f) bedeckt, und -die Verbindungschicht (3) auf der Umhüllung (2) von der Deckfläche (1a) zur ersten Anschlussstelle (43a) verläuft.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)