Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2018219681) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2018/219681 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/063003
Veröffentlichungsdatum: 06.12.2018 Internationales Anmeldedatum: 17.05.2018
IPC:
H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/30 (2010.01) ,H01L 33/02 (2010.01) ,H01L 33/14 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
38
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26
Materialien des lichtemittierenden Bereichs
30
nur Elemente der Gruppen III und V des Periodensystems enthaltend
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
14
mit Struktur zur Kontrolle des Ladungsträgertransports, z.B. einer hoch dotierten Halbleiterschicht oder einer stromsperrenden Struktur
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
SUNDGREN, Petrus; DE
SCHMID, Wolfgang; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 112 127.701.06.2017DE
Titel (EN) OPTOELECTRONIC COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
(DE) OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to an optoelectronic component (1) which has a semiconductor layer sequence (10) having a first semiconductor layer (101) of a first conductivity type, a second semiconductor layer (102), and an active layer (103) suitable for generating electromagnetic radiation, the active layer (103) being arranged between the first semiconductor layer (101) and the second semiconductor layer (102). The optoelectronic component also has a recess (150) in the first semiconductor layer (101). A front side (10A) for outputting the electromagnetic radiation, and a first electrical connection layer (121) and a second electrical connection layer (122) which are arranged on a rear side (10B) opposite the front side are also provided, wherein the first electrical connection layer (121) is arranged at least partially in the recess (150). Adjacent to the recess (150) there is a contact zone (180) of a second conductivity type which is different from the first conductivity type. The invention also relates to a method for producing the optoelectronic component (1).
(FR) L'invention concerne un composant optoélectronique (1), qui comprend une séquence de couches semi-conductrices (10) comportant une première couche semi-conductrice (101), d'un premier type de conductivité, une deuxième couche semi-conductrice (102), et une couche active (103), adaptée à générer un rayonnement électromagnétique, la couche active (103) étant disposée entre la première couche semi-conductrice (101) et la deuxième couche semi-conductrice (102). En outre, le composant optoélectronique comporte un évidement (150) dans la première couche semi-conductrice (101). En outre, le composant optoélectronique est pourvu d'une face avant (10A), destinée au découplage du rayonnement électromagnétique, d'une première couche de connexion électrique (121) et d'une deuxième couche de connexion électrique (122), qui sont agencées sur une face arrière (10B) opposée à la face avant, la première couche de connexion électrique (121) étant au moins partiellement disposée dans l'évidement (150). Une zone de contact (180) d'un deuxième type de conductivité, différent du premier type de conductivité, est adjacente à l'évidement (150). La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique (1).
(DE) Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben (1), das eine Halbleiterschichtenfolge (10) mit einer ersten Halbleiterschicht (101) eines ersten Leitungstyps, einer zweiten Halbleiterschicht (102) und eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (103) aufweist, wobei die aktive Schicht (103) zwischen der ersten Halbleiterschicht (101) und der zweiten Halbleiterschicht (102) angeordnet ist. Ferner weist das optoelektronische Bauelement eine Aussparung (150) in der ersten Halbleiterschicht (101) auf. Weiterhin ist eine Vorderseite (10A) zur Auskopplung der elektromagnetischen Strahlung, eine erste elektrische Anschlussschicht (121) und eine zweite elektrische Anschlussschicht (122), die an einer der Vorderseite gegenüberliegenden Rückseite (10B) angeordnet sind vorgesehen, wobei die erste elektrische Anschlussschicht (121) zumindest teilweise in der Aussparung (150) angeordnet ist. Eine Kontaktzone (180) eines vom ersten Leitungstyp verschiedenen zweiten Leitungstyps, grenzt an die Aussparung (150) an. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements (1) angegeben.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)