Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen

1. (WO2018219667) HALBLEITERLASERDIODE MIT ZWEI RESONATOREN

Pub. No.:    WO/2018/219667    International Application No.:    PCT/EP2018/062903
Publication Date: Fri Dec 07 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01S 3/063
H01S 3/0941
H01S 5/04
H01S 5/10
H01S 5/026
H01S 5/40
H01S 3/16
H01S 5/02
H01S 5/022
H01S 5/042
H01S 3/094
H01S 5/028
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: STOJETZ, Bernhard
EICHLER, Christoph
LELL, Alfred
GERHARD, Sven
Title: HALBLEITERLASERDIODE MIT ZWEI RESONATOREN
Abstract:
Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angeben, die einen ersten Resonator (1) und einen zweiten Resonator (2) aufweist, die parallele Resonatorrichtungen entlang einer longitudinalen Richtung (93) aufweisen und die monolithisch in die Halbleiterlaserdiode (100) integriert sind, wobei der erste Resonator (1) zumindest einen Teil einer Halbleiterschichtenfolge (12) mit einer aktiven Schicht (13) und einem aktiven Bereich (15) aufweist, der im Betrieb der Halbleiterlaserdiode (100) zur Erzeugung eines ersten Lichts (19) elektrisch gepumpt werden kann, die longitudinale Richtung (93) parallel zu einer Haupterstreckungsebene der aktiven Schicht (13) ist, und der zweite Resonator (2) einen aktiven Bereich (25) mit einem laseraktiven Material (21) aufweist, das im Betrieb der Halbleiterlaserdiode (100) zur Erzeugung eines aus dem zweiten Resonator (2) teilweise nach außen abgestrahlten zweiten Lichts (29) durch zumindest einen Teil des ersten Lichts (19) optisch gepumpt werden kann.