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1. (WO2018215312) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS

Pub. No.:    WO/2018/215312    International Application No.:    PCT/EP2018/062997
Publication Date: Fri Nov 30 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri May 18 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 33/48
H01L 33/62
H01L 33/38
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: OTTO, Isabel
SCHOLZ, Dominik
LEIRER, Christian
Title: HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
Abstract:
Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend: - einen Halbleiterkörper (2) mit - einer ersten Halbleiterschicht (3) und einer zweiten Halbleiterschicht (4), - einer ersten Hauptfläche (2A) und einer der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (2B), wobei die erste Hauptfläche (2A) durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (3) und die zweite Hauptfläche (2B) durch eine Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (4) gebildet wird, - mindestens einer Seitenfläche (2C, 2D), welche die erste Hauptfläche (2A) mit der zweiten Hauptfläche (2B) verbindet, - eine elektrisch leitende Trägerschicht (7), die die zweite Hauptfläche (2B) bereichsweise überdeckt, wobei die Trägerschicht (7) strukturiert ist derart, dass sie zumindest eine kontaktfreie Vertiefung (10) aufweist. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements (1) angegeben.