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1. (WO2018215309) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
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Veröff.-Nr.: WO/2018/215309 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/062989
Veröffentlichungsdatum: 29.11.2018 Internationales Anmeldedatum: 17.05.2018
IPC:
H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/38 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
62
Anordnungen für die Zu- oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
38
mit besonderer Form
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
OTTO, Isabel; DE
KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna; DE
LEIRER, Christian; DE
HAHN, Berthold; DE
Vertreter:
ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 - EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 111 278.223.05.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
Zusammenfassung:
(EN) Disclosed is a semiconductor component (1) comprising: a semiconductor body (2) with - a first semiconductor layer (3) and a second semiconductor layer (4), - a first primary face (2A) and a second primary face (2B) lying opposite the first primary face (2A), the first primary face (2A) being formed by a surface of the first semiconductor layer (3) and the second primary face (2B) being formed by a surface of the second semiconductor layer (4), - at least one lateral face (2C, 2D) which connects the first primary face (2A) to the second primary face (2B); - an electrically conductive carrier layer (7) which covers at least part of the second primary face (2B); and - an electrically conductive deformation layer (8) which covers at least part of the second primary face (2B), the electrically conductive deformation layer (8) having an identical or higher elasticity than the electrically conductive carrier layer (7). Also disclosed is a method for producing a semiconductor component (1) of this type.
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur (1) comprenant : un corps semi-conducteur (2) présentant une première couche semi-conductrice (3) et une deuxième couche semi-conductrice (4), une première surface principale (2A) et une deuxième surface principale (2B) opposée à la première, la première surface principale (2A) étant formée par une surface de la première couche semi-conductrice (3) et la deuxième surface principale (2B) par une surface de la deuxième couche semi-conductrice (4), au moins une surface latérale (2C, 2D) qui relie la première surface principale (2A) et la deuxième surface principale (2B) ; une couche de support (7) conductrice électriquement qui recouvre au moins par endroits la deuxième surface principale (2B) ; ainsi qu’une couche de déformation (8) conductrice électriquement qui recouvre au moins par endroits la deuxième surface principale (2B), cette couche de déformation (8) conductrice électriquement présentant une élasticité identique ou supérieure à celle de la couche de support (7) conductrice électriquement. L’invention concerne en outre un procédé de fabrication d’un tel composant semi-conducteur (1).
(DE) Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend - einen Halbleiterkörper (2) mit - einer ersten Halbleiterschicht (3) und einer zweiten Halbleiterschicht (4), - einer ersten Hauptfläche (2A) und einer der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche(2B), wobei die erste Hauptfläche (2A) durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht (3) und die zweite Hauptfläche (2B) durch eine Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht (4) gebildet wird, - mindestens einer Seitenfläche(2C, 2D), welche die erste Hauptfläche (2A) mit der zweiten Hauptfläche (2B) verbindet, - eine elektrisch leitende Trägerschicht(7), die die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt, und - eine elektrisch leitende Verformungsschicht (8), die die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt, wobei die elektrisch leitende Verformungsschicht (8) eine gleich große oder höhere Elastizität aufweist wie die elektrisch leitende Trägerschicht (7). Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements (1) angegeben.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)