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1. (WO2018215306) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
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Veröff.-Nr.: WO/2018/215306 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/062973
Veröffentlichungsdatum: 29.11.2018 Internationales Anmeldedatum: 17.05.2018
IPC:
H01L 33/44 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/38 (2010.01) ,H01L 33/62 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
44
charakterisiert durch Beschichtungen, z.B. Passivierungsschichten oder Anti-Reflex-Beschichtungen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36
charakterisiert durch die Elektroden
38
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
62
Anordnungen für die Zu- oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
LEIRER, Christian; DE
MÜLLER, Christian; DE
OTTO, Isabel; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 111 277.423.05.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
Zusammenfassung:
(EN) Disclosed is a semiconductor component (1) comprising: a semiconductor body (2) with - a first primary face (2A) and a second primary face (2B) lying opposite the first primary face (2A), - at least one lateral face (2C, 2D) which connects the first primary face (2A) to the second primary face (2B); an electrically conductive carrier layer (8) which covers at least part of the second primary face (2B); and an electrically poorly conductive insulation (6), located between the carrier layer (8) and the semiconductor body (2), which insulation - covers at least part of the second primary face (2B) and extends up to at least one lateral face (2C, 2D) of the semiconductor body (2) and has - a first insulation layer (61) and a second insulation layer (62). The second insulation layer (62) is located on the first insulation layer (61) on the side facing away from the semiconductor body (2), and the first and second insulation layers (61, 62) differ from one another in terms of their rigidity and/or elasticity. Also disclosed is a method for producing a semiconductor component (1) of this type.
(FR) L'invention concerne un composant semi-conducteur (1) comprenant : un corps semi-conducteur (2) présentant une première surface principale (2A) et une deuxième surface principale (2B) opposée à la première, au moins une surface latérale (2C, 2D) qui relie la première surface principale (2A) et la deuxième surface principale (2B) ; une couche de support (8) conductrice électriquement qui recouvre au moins par endroits la deuxième surface principale (2B) ; ainsi qu’une isolation (6) faiblement conductrice électriquement qui est disposée entre la couche de support (8) et le corps semi-conducteur (2), recouvre par endroits la deuxième surface principale (2B) et s'étend jusqu'à au moins une surface latérale (2C, 2D) du corps semi-conducteur (2) et présente une première couche isolante (61) et une deuxième couche isolante (62), la deuxième couche isolante (62) étant disposée sur un côté de la première couche isolante (61) opposé au corps semi-conducteur (2) et la première et la deuxième couche isolante (61, 62) étant différentes l'une de l'autre en termes de rigidité et/ou d’élasticité. L’invention concerne en outre un procédé de fabrication d’un tel composant semi-conducteur (1).
(DE) Es wird ein Halbleiterbauelement (1) angegeben umfassend *einen Halbleiterkörper (2) mit -einer ersten Hauptfläche (2A) und einer der ersten Hauptfläche (2A) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (2B), -mindestens einer Seitenfläche (2C, 2D), welche die erste Hauptfläche (2A) mit der zweiten Hauptfläche (2B) verbindet, *eine elektrisch leitende Trägerschicht (8), die die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt, und *eine elektrisch schwach leitende Isolierung (6), die -zwischen der Trägerschicht (8) und dem Halbleiterkörper (2) angeordnet ist, -die zweite Hauptfläche (2B) zumindest bereichsweise überdeckt und sich bis auf mindestens eine Seitenfläche (2C, 2D) des Halbleiterkörpers (2) erstreckt, und -eine erste Isolierschicht (61) und eine zweite Isolierschicht (62) aufweist, wobei die zweite Isolierschicht (62) auf einer dem Halbleiterkörper (2) abgewandten Seite der ersten Isolierschicht (61) angeordnet ist und sich die erste und zweite Isolierschicht (61, 62) in ihrer Steifigkeit und/oder Elastizität voneinander unterscheiden. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements (1) angegeben.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)