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1. (WO2018215263) HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR AUSLEGUNG EINER HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG
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Veröff.-Nr.: WO/2018/215263 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/062774
Veröffentlichungsdatum: 29.11.2018 Internationales Anmeldedatum: 16.05.2018
IPC:
H03F 1/32 (2006.01) ,H03F 3/19 (2006.01) ,H03F 3/30 (2006.01) ,H03F 3/21 (2006.01) ,H03F 3/26 (2006.01) ,H01J 37/32 (2006.01) ,H01P 5/10 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
1
Einzelheiten von Verstärkern, die nur Entladungsröhren, nur Halbleiterbauelemente oder nur im einzelnen nicht spezifizierte Bauelemente als Verstärkerelemente enthalten
32
Ausbildungen von Verstärkern zum Verringern nichtlinearer Verzerrung
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
3
Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
189
Hochfrequenzverstärker, z.B. Verstärker für Radiofrequenzen
19
nur mit Halbleiterbauelementen
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
3
Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
30
Gegentaktverstärker mit Eintaktausgang; Phasenumkehrstufen hierfür
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
3
Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
20
Leistungsverstärker, z.B. B-Verstärker, C-Verstärker
21
nur mit Halbleiterbauelementen
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
3
Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
26
Gegentaktverstärker; Phasenumkehrstufen hierfür
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
J
Elektrische Entladungsröhren oder Entladungslampen
37
Entladungsröhren mit Vorkehrung zum Einführen von Gegenständen oder Werkstoffen, die der Entladung ausgesetzt werden sollen, z.B. zur Prüfung oder Bearbeitung derselben
32
Gasgefüllte Entladungsröhren
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
P
Wellenleiter [Hohlleiter]; Resonatoren, Leitungen oder andere Einrichtungen des Wellenleitertyps
5
Kopplungsvorrichtungen des Wellenleitertyps
08
zum Verkoppeln verschiedenartiger Leitungen oder Vorrichtungen
10
zum Verkoppeln symmetrischer mit unsymmetrischen Leitungen oder Vorrichtungen
Anmelder:
TRUMPF HÜTTINGER GMBH + CO. KG [DE/DE]; Bötzinger Strasse 80 79111 Freiburg, DE
Erfinder:
MAIER, Florian; DE
WERNER, Sergej; DE
Vertreter:
TRUMPF PATENTABTEILUNG; TRUMPF GmbH & Co. KG TH501 Patente und Lizenzen Johann-Maus-Strasse 2 71254 Ditzingen, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 208 917.226.05.2017DE
Titel (EN) HIGH FREQUENCY AMPLIFIER ARRANGEMENT AND METHOD FOR DESIGNING A HIGH FREQUENCY AMPLIFIER ARRANGEMENT
(FR) ENSEMBLE AMPLIFICATEUR À HAUTE FRÉQUENCE ET PROCÉDÉ POUR CONFIGURER UN ENSEMBLE AMPLIFICATEUR À HAUTE FRÉQUENCE
(DE) HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR AUSLEGUNG EINER HOCHFREQUENZVERSTÄRKERANORDNUNG
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a high frequency amplifier arrangement (1) comprising: a) an amplifier part (2), which has an output (100) having two output connections (101,102), b) a balun transformer (7), which has an input (105) having two input connections (106, 107) and an output (110) having two output connections (111, 112), wherein i) one output connection (101, 102) each of the amplifier part (2) is connected to an input connection (106, 107) of the balun transformer (7), ii) an output connection (112) of the balun transformer (7) is connected to ground, iii) an output connection (111) of the balun transformer (7) can be connected to a load, iv) a first capacitance (44) is provided between the one input connection (106) of the balun transformer (7) and ground, v) a second capacitance (45) is provided between the second input connection (107) of the balun transformer (7) and ground, wherein the first capacitance (44) is not equal to the second capacitance (45).
(FR) L'invention concerne un ensemble amplificateur à haute fréquence (1) comprenant : a) une partie amplificateur (2) comportant une sortie (100) qui comprend deux ports de sortie (101, 102), b) un transformateur symétrique-dissymétrique (7) comprenant une entrée (105) qui comporte deux ports d'entrée (106, 107) et une sortie (110) qui comporte deux ports de sortie (111, 112). i) Respectivement un port de sortie (101, 102) de la partie amplificateur (2) est relié à un port d'entrée (106, 107) du transformateur symétrique-dissymétrique (7), ii) un port de sortie (112) du transformateur symétrique-dissymétrique (7) est relié à la masse, iii) un port de sortie (111) du transformateur symétrique-dissymétrique (7) peut être relié à une charge, iv) un premier condensateur (44) est prévu entre ledit port d'entrée (106) du transformateur symétrique-dissymétrique (7) et la masse, v) un deuxième condensateur (45) est prévu entre le deuxième port d'entrée (107) du transformateur symétrique-dissymétrique (7) et la masse, le premier condensateur (44) étant différent du deuxième condensateur (45).
(DE) Eine Hochfrequenzverstärkeranordnung (1) umfasst: a) ein Verstärkerteil (2), das einen Ausgang (100) mit zwei Ausgangsanschlüssen (101, 102) aufweist, b) einem Symmetrierübertrager (7), der einen Eingang (105) mit zwei Eingangsanschlüssen (106, 107) und einen Ausgang (110) mit zwei Ausgangsanschlüssen (111, 112) aufweist, wobei i) jeweils ein Ausgangsanschluss (101, 102) des Verstärkerteils (2) mit einem Eingangsanschluss (106, 107) des Symmetrierübertragers (7) verbunden ist, ii) ein Ausgangsanschluss (112) des Symmetrierübertragers (7) mit Masse verbunden ist, iii) ein Ausgangsanschluss (111) des Symmetrierübertragers (7) mit einer Last verbindbar ist, iv) zwischen dem einen Eingangsanschluss (106) des Symmetrierübertragers (7) und Masse eine erste Kapazität (44) vorgesehen ist, v) zwischen dem zweiten Eingangsanschluss (107) des Symmetrierübertragers (7) und Masse eine zweite Kapazität (45) vorgesehen ist, wobei die erste Kapazität (44) ungleich der zweiten Kapazität (45) ist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)