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1. (WO2018206604) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
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Veröff.-Nr.: WO/2018/206604 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/061925
Veröffentlichungsdatum: 15.11.2018 Internationales Anmeldedatum: 08.05.2018
IPC:
H01L 33/62 (2010.01) ,H01L 33/48 (2010.01)
[IPC code unknown for H01L 33/62][IPC code unknown for H01L 33/48]
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
OTTO, Isabel; DE
KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna; DE
LEIRER, Christian; DE
Vertreter:
ZUSAMMENSCHLUSS NR. 175 - EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 110 073.310.05.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING A RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTANT UN RAYONNEMENT
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing a radiation-emitting semiconductor component, the method comprising the following steps: providing a radiation-emitting semiconductor chip (1) having a first main surface, which comprises a radiation exit surface of the semiconductor chip (1); applying a metallic seed layer (5) onto a second main surface of the semiconductor chip (1), which is located opposite the first main surface; galvanic deposition of a metallic volume region (10) of a first electrical contact point (14) and a metallic volume region (10) of a second electrical contact point (14) on the seed layer (5); depositing an adhesion-promoting layer (12) on the volume regions (10) of the first electrical contact point (14) and the second electrical contact point (14); and applying a potting compound (13), at least between the contact points (14). The invention further relates to a radiation-emitting semiconductor component.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur émettant un rayonnement, qui comprend les étapes suivantes consistant à : - prendre une puce semi-conductrice (1) émettant un rayonnement, dont une première surface principale comprend une surface de sortie de rayonnement de la puce semi-conductrice (1) ; - appliquer une couche germe métallique (5) sur une deuxième surface principale de la puce semi-conductrice (1), qui est opposée à la première surface principale, - appliquer par dépôt galvanique une zone de volume métallique (10) d’un premier point de contact électrique (14) et une zone de volume métallique (10) d’un deuxième point de contact électrique (14) sur la couche germe (5), - déposer une couche de promotion d’adhésion (12) sur la zone de volume (10) du premier point de contact électrique (14) et du deuxième point de contact électrique (14), et - appliquer un matériau d'enrobage (13) au moins entre les points de contact (14). L’invention concerne également un dispositif à semi-conducteur émettant un rayonnement.
(DE) Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: -Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) mit einer ersten Hauptfläche, die eine Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips (1) umfasst, -Aufbringen einer metallischen Keimschicht (5) auf eine zweite Hauptfläche des Halbleiterchips (1), die der ersten Hauptfläche gegenüberliegt, -galvanisches Abscheiden eines metallischen Volumenbereichs (10) einer ersten elektrischen Kontaktstelle (14) und eines metallischen Volumenbereichs (10) einer zweiten elektrischen Kontaktstelle (14) auf der Keimschicht (5), -Abscheiden einer Haftvermittlungsschicht (12) auf den Volumenbereichen (10) der ersten elektrischen Kontaktstelle (14) und der zweiten elektrischen Kontaktstelle (14), und -Aufbringen einer Vergussmasse (13) zumindest zwischen die Kontaktstellen (14). Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)