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1. (WO2018206443) HALBLEITERLASER
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Veröff.-Nr.: WO/2018/206443 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/061552
Veröffentlichungsdatum: 15.11.2018 Internationales Anmeldedatum: 04.05.2018
IPC:
H01S 5/30 (2006.01) ,H01S 5/343 (2006.01)
[IPC code unknown for H01S 5/30][IPC code unknown for H01S 5/343]
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder:
PETER, Matthias; DE
WURM, Teresa; DE
EICHLER, Christoph; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 109 804.608.05.2017DE
Titel (EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR
(DE) HALBLEITERLASER
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a semiconductor laser (10), comprising a substrate (1), a defect mobility reduction layer (2) arranged on the substrate (1), and a semiconductor layer sequence (9) arranged on the defect mobility reduction layer (2), which semiconductor layer sequence comprises an active layer (4), the active layer (4) containing a nitride compound semiconductor material containing indium. The defect mobility reduction layer (2) comprises silicon-doped InxAlyGa1- x-yN with 0 ≤ x ≤ 0.03 and 0 ≤y ≤ 0.03, the dopant concentration in the defect mobility reduction layer (2) being between 1 * 1019 cm-3 and 3 * 1019 cm-3. The defect mobility reduction layer (2) has a thickness of at least 500 nm.
(FR) L'invention concerne un laser à semi-conducteur (10) comprenant un substrat (1), une couche réductrice de mobilité de défauts (2) disposée sur ce substrat (1) et un empilement de couches de semi-conducteur (9) disposé sur la couche réductrice de mobilité de défauts (2) et comprenant une couche active (4), la couche active (4) contenant un matériau semi-conducteur à liaison nitrure renfermant de l'indium. La couche réductrice de mobilité de défauts (2) comprend de l’InxAlyGai-x-yN, où 0 ≤ x ≤ 0,03 et 0 ≤ y ≤ 0,03, la concentration en dopant dans la couche réductrice de mobilité de défauts (2) étant comprise entre 1 * 1019 cm-3 et 3 * 1019 cm-3. Ladite couche réductrice de mobilité de défauts (2) présente une épaisseur d'au moins 500 nm.
(DE) Es wird ein Halbleiterlaser (10) beschrieben, umfassend ein Substrat (1), eine auf dem Substrat (1) angeordnete Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) und eine auf der Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) angeordnete Halbleiterschichtenfolge (9), welche eine aktive Schicht (4) umfasst, wobei die aktive Schicht (4) ein Indium enthaltendes Nitridverbindungshalbleitermaterial enthält. Die Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) umfasst mit Silizium dotiertes InxAlyGai-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 0,03 und 0 ≤y ≤ 0,03, wobei eine Dotierstoffkonzentration in der Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) zwischen 1 * 1019 cm-3 und 3 * 1019 cm-3 beträgt. Die Defektbeweglichkeits-Reduzierungsschicht (2) weist eine Dicke von mindestens 500 nm auf.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)