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1. (WO2018206399) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT

Pub. No.:    WO/2018/206399    International Application No.:    PCT/EP2018/061377
Publication Date: Fri Nov 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Fri May 04 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 25/075
H01L 33/48
H01L 33/62
H01L 33/38
H01L 33/52
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: LEIRER, Christian
OTTO, Isabel
Title: VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
Abstract:
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (I) mit einer ersten Hauptfläche, die eine Strahlungsaustrittsfläche des Halbleiterchips (1) umfasst, - Aufbringen einer metallischen Keimschicht (5) auf eine zweite Hauptfläche des Halbleiterchips (1), die der ersten Hauptfläche gegenüberliegt, - galvanisches Abscheiden einer ersten metallischen Schicht (10) auf der Keimschicht (5) zur Bildung einer ersten elektrischen Kontaktstelle (12) und einer zweiten elektrischen Kontaktstelle (12), - galvanisches Abscheiden einer zweiten metallischen Schicht (II) auf der ersten metallischen Schicht (10) zur Bildung der ersten elektrischen Kontaktstelle (12) und der zweiten elektrischen Kontaktstelle (12), wobei das Material der ersten metallische Schicht (10) und das Material der zweiten metallischen Schicht (11) verschieden sind, und - Aufbringen einer Vergussmasse (15) zwischen die Kontaktstellen (12). Weiterhin wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.