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1. (WO2018206165) VERTIKALER LEISTUNGSTRANSISTOR MIT VERBESSERTER LEITFÄHIGKEIT UND HOHEM SPERRVERHALTEN

Pub. No.:    WO/2018/206165    International Application No.:    PCT/EP2018/053282
Publication Date: Fri Nov 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Feb 10 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/78
H01L 29/06
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH
Inventors: MARTINEZ-LIMIA, Alberto
BARTOLF, Holger
GOERLACH, Alfred
FEILER, Wolfgang
SCHWAIGER, Stephan
Title: VERTIKALER LEISTUNGSTRANSISTOR MIT VERBESSERTER LEITFÄHIGKEIT UND HOHEM SPERRVERHALTEN
Abstract:
Vertikaler Leistungstransistor (100, 200) mit mindestens einer Epitaxieschicht (103, 203), die ein erstes Halbleitermaterial umfasst, das mit ersten Ladungsträgern dotiert ist, und einer Mehrzahl von Gräben (107, 207), wobei sich die Gräben (107, 207) ausgehend von einer Oberfläche der Epitaxieschicht (103, 203) ins Innere der Epitaxieschicht (103, 203) erstrecken, dadurch gekennzeichnet, dass jeder Graben (107, 207) einen Bereich (108, 208) aufweist, der sich vom Grabenboden bis zu einer bestimmten Höhe erstreckt, wobei der Bereich (108, 208) mindestens teilweise mit einem zweiten Halbleitermaterial (109, 209) verfüllt ist, das mit zweiten Ladungsträgern dotiert ist und der Bereich (108, 208) elektrisch mit einem Sourcegebiet (105, 205) verbunden ist, wobei die ersten Ladungsträger und die zweiten Ladungsträger verschieden sind.