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1. (WO2018206163) VERTIKALER LEISTUNGSTRANSISTOR MIT VERBESSERTER LEITFÄHIGKEIT UND HOHEM SPERRVERHALTEN

Pub. No.:    WO/2018/206163    International Application No.:    PCT/EP2018/053278
Publication Date: Fri Nov 16 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Sat Feb 10 00:59:59 CET 2018
IPC: H01L 29/78
H01L 29/06
Applicants: ROBERT BOSCH GMBH
Inventors: MARTINEZ-LIMIA, Alberto
BARTOLF, Holger
GOERLACH, Alfred
FEILER, Wolfgang
SCHWAIGER, Stephan
Title: VERTIKALER LEISTUNGSTRANSISTOR MIT VERBESSERTER LEITFÄHIGKEIT UND HOHEM SPERRVERHALTEN
Abstract:
Vertikaler Leistungstransistor (200, 300) mit mindestens einer Epitaxieschicht (203, 303), die ein erstes Halbleitermaterial umfasst, das mit ersten Ladungsträgern dotiert ist, und einer Mehrzahl von ersten Gräben (207, 307) und zweiten Gräben (220, 320), wobei die ersten Gräben (207, 307) und die zweiten Gräben (220, 320) alternierend angeordnet sind und sich ausgehend von einer Oberfläche der Epitaxieschicht (103, 203) ins Innere der Epitaxieschicht (203, 303) erstrecken, dadurch gekennzeichnet, dass die zweiten Gräben (220, 320) mit einem zweiten Halbleitermaterial (218, 318) verfüllt sind, das mit zweiten Ladungsträgern dotiert ist, wobei die ersten Ladungsträger und die zweiten Ladungsträger verschieden sind und zwischen einer Grabenoberfläche der zweiten Gräben (220, 320) und der Epitaxieschicht (203, 303) eine erste Wannenschicht (219, 319) angeordnet ist, die ein drittes Halbleitermaterial umfasst, das mit den zweiten Ladungsträgern dotiert ist, und die Grabenoberfläche der zweiten Gräben den Grabenboden des jeweiligen Grabens (207, 307) und Seitenwände des jeweiligen Grabens (207, 307) umfasst.