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1. (WO2018206161) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER 3D-STRUKTUR MITTELS LASERLITHOGRAPHIE MIT GEÄNDERTER BELICHTDOSIS AN RANDABSCHNITTEN, SOWIE ENTSPRECHENDES COMPUTERPROGRAMMPRODUKT
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Veröff.-Nr.: WO/2018/206161 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/053016
Veröffentlichungsdatum: 15.11.2018 Internationales Anmeldedatum: 07.02.2018
IPC:
B23K 26/06 (2014.01) ,B22F 3/105 (2006.01) ,B23K 26/342 (2014.01) ,B23K 26/082 (2014.01) ,B29C 64/10 (2017.01)
[IPC code unknown for B23K 26/06][IPC code unknown for B22F 3/105][IPC code unknown for B23K 26/342][IPC code unknown for B23K 26/082][IPC code unknown for B29C 64/10]
Anmelder:
NANOSCRIBE GMBH [DE/DE]; Hermann-von-Helmholtz-Platz 1 76344 Eggenstein-Leopoldshafen, DE
Erfinder:
TANGUY, Yann; FR
LINDENMANN, Nicole; DE
Vertreter:
DREISS PATENTANWÄLTE PARTG MBB; Friedrichstraße 6 70174 Stuttgart, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 110 241.811.05.2017DE
Titel (EN) METHOD FOR PRODUCING A 3D STRUCTURE BY MEANS OF LASER LITHOGRAPHY WITH A MODIFIED EXPOSURE DOSE AT EDGE PORTIONS, AND CORRESPONDING COMPUTER PROGRAM PRODUCT
(FR) PROCÉDÉ POUR GÉNÉRER UNE STRUCTURE 3D PAR LITHOGRAPHIE AU LASER À L'AIDE D'UNE DOSE D'ÉCLAIRAGE MODIFIÉE AUX SECTIONS DE BORD AINSI QUE PRODUIT-PROGRAMME INFORMATIQUE CORRESPONDANT
(DE) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER 3D-STRUKTUR MITTELS LASERLITHOGRAPHIE MIT GEÄNDERTER BELICHTDOSIS AN RANDABSCHNITTEN, SOWIE ENTSPRECHENDES COMPUTERPROGRAMMPRODUKT
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a method for producing a three-dimensional overall structure (10) by means of laser lithography, the overall structure (10) being approximated by at least one partial structure (14), wherein, for the purposes of writing the partial structure (14), an exposure dose is radiated into the lithography material in a focal region of a laser writing beam while exploiting multi-photon absorption. Here, in the partial structure (14), the exposure dose in those edge portions (20) that immediately adjoin an external surface (12) of the overall structure (10) to be produced is modified in comparison with the remaining partial structure (14). The invention also relates to a computer program product adapted to the method.
(FR) L'invention concerne un procédé pour générer une structure globale tridimensionnelle (10) par lithographie au laser, la structure globale (10) étant approchée par au moins une structure partielle (14), une dose d'éclairage étant irradiée dans le matériel de lithographie pour inscrire la structure partielle (14) dans une zone de focalisation d'un rayon d'écriture laser tout en exploitant l'absorption de photons multiples. Dans la structure partielle (14), la dose d'éclairage est modifiée dans les zones de bord (20) qui sont immédiatement adjacentes à une surface externe (12) de la structure globale (10) à générer, par rapport au reste de la structure partielle (14). L'invention concerne également un produit-programme informatique adapté pour le procédé.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen einer dreidimensionalen Gesamtstruktur (10) mittels Laserlithographie, wobei die Gesamtstruktur (10) durch wenigstens eine Teilstruktur (14) angenähert wird, wobei zum Schreiben der Teilstruktur (14) in einem Fokusbereich eines Laser-Schreibstrahls unter Ausnutzung von Multi-Photonen-Absorption eine Belichtungsdosis in das Lithographiematerial eingestrahlt wird. Dabei wird in der Teilstruktur (14) in solchen Randabschnitten (20), welche unmittelbar an eine Außenfläche (12) der zu erzeugenden Gesamtstruktur (10) angrenzen, die Belichtungsdosis im Vergleich zur übrigen Teilstruktur (14) verändert. Die Erfindung betrifft auch ein für das Verfahren angepasstes Computerprogrammprodukt.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)