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1. (WO2018202685) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS

Pub. No.:    WO/2018/202685    International Application No.:    PCT/EP2018/061160
Publication Date: Fri Nov 09 00:59:59 CET 2018 International Filing Date: Thu May 03 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 33/50
H01L 33/64
H01L 33/48
H01L 33/00
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: TÅNGRING, Ivar
LEIRER, Christian
Title: OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS
Abstract:
Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Schicht (10) zur Emission elektromagnetischer Strahlung. Ferner umfasst der Halbleiterchip (1) zwei Kontaktelemente (21, 22) auf einer Rückseite (12) der Halbleiterschichtenfolge (1) sowie ein strahlungsdurchlässiges Kühlelement (3) auf einer der Rückseite (12) gegenüberliegenden Vorderseite (11) der Halbleiterschichtenfolge(1). Zwischen dem Kühlelement (3) und der Halbleiterschichtenfolge (1) ist eine Siloxan-haltige Konverterschicht (4) angeordnet. Die Kontaktelemente (21, 22) dienen zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterchips (100) und liegen im unmontierten Zustand des Halbleiterchips (100) frei. Das Kühlelement (3) ist von einem Aufwachssubstrat der Halbleiterschichtenfolge (1) verschieden und weist eine thermische Leitfähigkeit von mindestens 0,7 W/(m∙K) auf.