Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2018197096) VORRICHTUNG ZUR ANSTEUERUNG EINES SELBSTLEITENDEN N-KANAL ENDSTUFENFELDEFFEKTTRANSISTORS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten    Einwendung einreichen

Veröff.-Nr.: WO/2018/197096 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/056165
Veröffentlichungsdatum: 01.11.2018 Internationales Anmeldedatum: 13.03.2018
IPC:
H03F 1/02 (2006.01) ,H03K 17/06 (2006.01) ,H03K 17/687 (2006.01) ,H03F 3/21 (2006.01) ,H03F 3/217 (2006.01)
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
1
Einzelheiten von Verstärkern, die nur Entladungsröhren, nur Halbleiterbauelemente oder nur im einzelnen nicht spezifizierte Bauelemente als Verstärkerelemente enthalten
02
Ausbildungen von Verstärkern zum Steigern des Wirkungsgrades, z.B. gleitende A-Verstärkerstufen, Verwendung einer Hilfsschwingung
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
06
Ausbildung von Schaltern zur Sicherstellung des vollen Leit- [oder Sperr-]Zustandes
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
K
Impulstechnik
17
Kontaktloses elektronisches Schalten oder Austasten, d.h. nicht durch Öffnen oder Schließen von Kontakten bewirkt
51
gekennzeichnet durch die verwendeten spezifischen Bauelemente
56
mit Halbleiterbauelementen als aktive Bauelemente
687
mit Feldeffekttransistoren
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
3
Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
20
Leistungsverstärker, z.B. B-Verstärker, C-Verstärker
21
nur mit Halbleiterbauelementen
H Elektrotechnik
03
Grundlegende elektronische Schaltkreise
F
Verstärker
3
Verstärker, die nur Entladungsröhren oder nur Halbleiterbauelemente als Verstärkerelemente enthalten
20
Leistungsverstärker, z.B. B-Verstärker, C-Verstärker
21
nur mit Halbleiterbauelementen
217
Klasse-D-Leistungsverstärker; schaltende Verstärker
Anmelder:
FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V. [DE/DE]; Rudower Chaussee 17 12489 Berlin, DE
Erfinder:
HOFFMANN, Thomas; DE
Vertreter:
GULDE & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWALTSKANZLEI MBB; Wallstr. 58/59 10179 Berlin, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 108 828.825.04.2017DE
Titel (EN) DEVICE FOR CONTROLLING A SELF-CONDUCTING N-CHANNEL OUTPUT STAGE FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) DISPOSITIF POUR LA COMMANDE D'UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP D'ÉTAGE FINAL À CANAL N AUTOCONDUCTEUR
(DE) VORRICHTUNG ZUR ANSTEUERUNG EINES SELBSTLEITENDEN N-KANAL ENDSTUFENFELDEFFEKTTRANSISTORS
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a device (100) for controlling a self-conducting n-channel output stage field effect transistor (V1), comprising a control signal input (110), a control signal output (120) for connection to a gate electrode (V1G) of the output stage field effect transistor (V1), a first node (N1), which is connected to the control signal output (120), a second node (N2) and first transistor (V4). A source electrode (V4S) of the first transistor (V4) is connected to the first node (N1), a gate electrode (V4G) of the first transistor (V4) is connected to the second node (N2) and a drain electrode (V4D) of the first transistor (V4) is connected either to the source electrode of the output stage field effect transistor (V1) or to a supply voltage (+Vdd). A resistor (R1), with one end thereof, is connected to the second node (N2). The device (100) is characterised in that the resistor (R1), with the other end thereof, is connected to the first node (N1). Use of the first transistor (V4) can thus ensure that the supply voltage (Vdd) is present on the control signal output when a low-level signal is present on the control signal input (110).
(FR) Dispositif (100) pour la commande d'un transistor à effet de champ d'étage final à canal N autoconducteur comprenant une entrée de signal de commande (110), une sortie de signal de commande (120) pour la liaison avec une électrode de grille (V1G) du transistor à effet de champ d'étage final (V1), un premier nœud (N1) connecté à la sortie de signal de commande (120), un deuxième nœud (N2) et un premier transistor (4). Une électrode de source (V4S) du premier transistor (V4) est connectée au premier nœud (N1), une électrode de grille (V4G) du premier transistor (V4) est connectée au deuxième nœud (N2) et une électrode de drain (V4D) du premier transistor (V4) est liée soit à l'électrode de source du transistor à effet de champ d'étage final (V1) soit connectée à un tension d'alimentation (+Vdd). Une résistance (R1) est connectée par une extrémité au deuxième nœud (N2). Le dispositif (100) est caractérisé en ce que la résistance (R1) est connectée par l'autre extrémité au premier nœud (N1). Le premier transistor (V4) permet d'assurer que la tension d'alimentation (Vdd) est appliquée à la sortie de signal de commande lorsqu'un signal de bas niveau est appliqué à l'entrée de signal de commande (110).
(DE) Eine Vorrichtung (100) zur Ansteuerung eines selbstleitenden n-Kanal Endstufenfeldeffekttransistors (V1) umfasst einen Steuersignaleingang (110), einen Steuersignalausgang (120) zur Verbindung mit einer Gate-Elektrode (V1G) des Endstufenfeldeffekttransistors (V1), einen ersten Knotenpunkt (N1), der an den Steuersignalausgang (120) angeschlossen ist, einen zweiten Knotenpunkt (N2), und einen ersten Transistor (V4). Eine Source-Elektrode (V4S) des ersten Transistors (V4) ist an den ersten Knotenpunkt (N1), eine Gate-Elektrode (V4G) des ersten Transistors (V4) ist an den zweiten Knotenpunkt (N2) angeschlossen und eine Drain-Elektrode (V4D) des ersten Transistors (V4) ist entweder mit der Source-Elektrode des Endstufenfeldeffekttransistors (V1) verbunden, oder an eine Versorgungsspannung (+Vdd) angeschlossen. Ein Widerstand (R1) ist mit einem Ende an den zweiten Knotenpunkt (N2) angeschlossen. Die Vorrichtung (100) ist dadurch gekennzeichnet, dass der Widerstand (R1) mit dem anderen Ende an den ersten Knotenpunkt (N1) angeschlossen ist. Mithilfe des ersten Transistors (V4) lässt sich so bewirken, dass am Steuersignalausgang die Versorgungsspannung(Vdd), anliegt wenn am Steuersignaleingang (110) ein Low-Level Signal anliegt.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)