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1. (WO2018194123) RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
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Veröff.-Nr.: WO/2018/194123 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/016125
Veröffentlichungsdatum: 25.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 19.04.2018
IPC:
G03F 7/004 (2006.01) ,C08F 220/18 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
04
Chromate
C Chemie; Hüttenwesen
08
Organische makromolekulare Verbindungen; deren Herstellung oder chemische Verarbeitung; Massen auf deren Basis
F
Makromolekulare Verbindungen, erhalten durch Reaktionen, an denen nur ungesättigte Kohlenstoff-Kohlenstoff-Bindungen beteiligt sind
220
Mischpolymerisate von Verbindungen, die einen oder mehrere ungesättigte aliphatische Reste aufweisen, von denen jeder nur eine einzige Kohlenstoff-Kohlenstoff-Doppelbindung besitzt und nur einer als Endgruppe lediglich einen Carboxylrest oder ein Salz, Anhydrid, Ester, Amid, Imid oder Nitril hiervon aufweist
02
Monocarbonsäuren, die weniger als zehn Kohlenstoffatome aufweisen; deren Derivate
10
Ester
12
von einwertigen Alkoholen oder Phenolen
16
von Phenolen oder von Alkoholen, die zwei oder mehr Kohlenstoffatome enthalten
18
mit Acryl- oder Methacrylsäuren
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
038
makromolekulare Verbindungen, die unlöslich oder unterschiedlich benetzbar gemacht werden
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
004
Lichtempfindliche Materialien
039
Makromolekulare fotodepolymerisierbare Verbindungen, z.B. positiv arbeitende elektronenempfindliche Fotolacke [Resists]
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
Anmelder:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
Erfinder:
古市 康太 FURUICHI Kouta; JP
岡嵜 聡司 OKAZAKI Satoshi; JP
Vertreter:
天野 一規 AMANO Kazunori; JP
Prioritätsdaten:
2017-08377120.04.2017JP
Titel (EN) RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMATION METHOD
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SENSIBLE AU RAYONNEMENT ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法
Zusammenfassung:
(EN) The present invention is a radiation-sensitive resin composition containing a first polymer having structural units including an acid-dissociable group, a first compound generated by radiating radioactive rays onto a first acid that dissociates the acid-dissociable group in one minute at 110ºC, and a second compound generated by radiating radioactive rays onto a second acid that does not substantially dissociate the acid-dissociable group in one minute at 110ºC, the first compound content being at least 10% by mass of the total solid content (all non-solvent components in the composition), and the ratio Bm/Cm being at least 1.7, where Bm is the number of moles of the first compound and Cm is the number of moles of the second compound.
(FR) La présente invention concerne une composition de résine sensible au rayonnement contenant un premier polymère ayant des unités structurales comprenant un groupe dissociable par un acide, un premier composé généré par rayonnement de rayons radioactifs sur un premier acide qui dissocie le groupe dissociable par un acide en une minute à 110 °C et un second composé généré par rayonnement de rayons radioactifs sur un second acide qui ne dissocie pas sensiblement le groupe dissociable par un acide en une minute à 110 °C, la teneur en premier composé représentant au moins 10 % en masse de la teneur totale en solides (tous les composants autres que le solvant dans la composition) et le rapport Bm/Cm étant d'au moins 1,7, où Bm est le nombre de moles du premier composé et Cm est le nombre de moles du second composé.
(JA) 本発明は、酸解離性基を含む構造単位を有する第1重合体と、上記酸解離性基を110℃、1分の条件で解離させる第1酸を放射線の照射により発生する第1化合物と、上記酸解離性基を110℃、1分の条件で実質的に解離させない第2酸を放射線の照射により発生する第2化合物とを含有し、上記第1化合物の含有量が全固形分(組成物中の溶媒以外の全成分)中10質量%以上であり、上記第1化合物のモル数をB、上記第2化合物のモル数をCとした場合に、B/Cが1.7以上である感放射線性樹脂組成物である。
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)