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1. (WO2018193938) HEAT TREATMENT DEVICE AND MAINTENANCE METHOD FOR SAME
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Veröff.-Nr.: WO/2018/193938 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/015265
Veröffentlichungsdatum: 25.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 11.04.2018
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,G03F 7/38 (2006.01) ,G03F 7/40 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/31 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
027
Herstellung von Masken auf Halbleiterkörpern für ein folgendes fotolithografisches Verfahren, soweit nicht von H01L21/18 oder H01L21/34178
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
26
Verarbeitung von lichtempfindlichen Materialien; Vorrichtungen dafür
38
Vorbehandlung vor dem bildmäßigen Entfernen, z.B. Vorbacken
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
26
Verarbeitung von lichtempfindlichen Materialien; Vorrichtungen dafür
40
Nachbehandlung nach dem bildmäßigen Entfernen, z.B. Backen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31
zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
324
Thermische Behandlung zum Ändern der Eigenschaften von Halbleiterkörpern, z.B. Tempern, Sintern
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
683
zum Aufnehmen oder Greifen
Anmelder:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
Erfinder:
福本 靖博 FUKUMOTO Yasuhiro; JP
田中 裕二 TANAKA Yuji; JP
松尾 友宏 MATSUO Tomohiro; JP
石井 丈晴 ISHII Takeharu; JP
Vertreter:
杉谷 勉 SUGITANI Tsutomu; JP
Prioritätsdaten:
2017-08431921.04.2017JP
Titel (EN) HEAT TREATMENT DEVICE AND MAINTENANCE METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE MAINTENANCE
(JA) 熱処理装置およびそのメンテナンス方法
Zusammenfassung:
(EN) An exhaust outlet (23) is provided to a side wall of a chamber (2), separate from a substrate gateway, and a gas recovery section (51) which emits the gas inside the chamber (2) is joined to the exhaust outlet (23). The gas recovery section is configured to be detachable from the chamber or attachable to the chamber via a draw latch (63). The exhaust outlet is opened by detaching the gas recovery section from the chamber. The exhaust outlet serves as an opening section for maintenance. As a result, maintenance within the chamber is made possible via an opening section of the chamber, provided separately from the substrate gateway, without increasing the number of opening sections.
(FR) Selon la présente invention, une sortie d'échappement (23) est disposée sur une paroi latérale d'une chambre (2), séparée d'une passerelle de substrat, et une section de récupération de gaz (51) qui émet le gaz à l'intérieur de la chambre (2) est reliée à la sortie d'échappement (23). La section de récupération de gaz est configurée pour être détachable de la chambre ou être fixée à la chambre par l'intermédiaire d'un verrou de traction (63). La sortie d'échappement est ouverte en détachant la section de récupération de gaz de la chambre. La sortie d'échappement sert de section d'ouverture pour la maintenance. Par conséquent, la maintenance à l'intérieur de la chambre est rendue possible par l'intermédiaire d'une section d'ouverture de la chambre, fournie séparément à partir de la passerelle de substrat, sans augmenter le nombre de sections d'ouverture.
(JA) 基板出入口とは別にチャンバ(2)の側壁には、排気口(23)が設けられており、その排気口には、チャンバ内の気体を排気する気体回収部(51)が接続されている。気体回収部は、パッチン錠(63)によって、チャンバから取り外され、また、チャンバに取り付けられるようになっている。気体回収部をチャンバから取り外すと、排気口が開かれる。この排気口がメンテナンス用の開口部となる。これにより、開口部の個数を増やさずに、基板出入口とは別に設けられたチャンバの開口部によって、チャンバ内のメンテナンスができる。
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Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)