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1. WO2018192985 - STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL UND GEWEBE

Veröffentlichungsnummer WO/2018/192985
Veröffentlichungsdatum 25.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/059921
Internationales Anmeldedatum 18.04.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
62
Anordnungen für die Zu- oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln
[IPC code unknown for F21S 4/15]
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Gedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
1
Gedruckte Schaltungen
02
Einzelheiten
03
Auswahl von Stoffen für das Substrat
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Gedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
1
Gedruckte Schaltungen
02
Einzelheiten
11
Gedruckte Teile zum Anbringen von elektrischen Verbindungen mit oder zwischen gedruckten Schaltungen
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
K
Gedruckte Schaltungen; Gehäuse oder konstruktive Einzelheiten von elektrischen Geräten; Herstellung von Baugruppen aus elektrischen Elementen
1
Gedruckte Schaltungen
18
Gedruckte Schaltungen, die baulich mit nichtgedruckten elektrischen Schaltelementen vereinigt sind
H01L 33/62 (2010.01)
F21S 4/15 (2016.01)
H05K 1/03 (2006.01)
H01L 25/075 (2006.01)
H05K 1/11 (2006.01)
H05K 1/18 (2006.01)
CPC
F21S 4/15
H01L 25/0753
H01L 2933/0066
H01L 33/62
H05K 1/038
H05K 1/114
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder
  • BEHRINGER, Martin Rudolf; DE
  • PFEUFFER, Alexander F.; DE
  • PLÖSSL, Andreas; DE
  • BOGNER, Georg; DE
  • HAHN, Berthold; DE
  • SINGER, Frank; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten
10 2017 108 580.721.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUTEIL UND GEWEBE
(EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND WOVEN FABRIC
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT ET TISSU
Zusammenfassung
(DE)
In einer Ausführungsform umfasst das strahlungsemittierende Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone zur Erzeugung von Strahlung sowie einen Träger(3), auf dem die Halbleiterschichtenfolge (2) aufgebracht ist. Der eine Träger(3)weist an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Trägerunterseite (34) eine Verankerungsstruktur (4) auf. Die Verankerungsstruktur (4) umfasst elektrische Kontaktstellen (5) oder grenzt an diese. Die Verankerungsstruktur (4) ist zur Aufnahme mindestens eines Fadens (8) zur elektrischen Kontaktierung eingerichtet.
(EN)
In one embodiment, the radiation-emitting semiconductor component (1) comprises a semiconductor layer sequence (2) with an active region for generating radiation, and a substrate (3) onto which the semiconductor layer sequence (2) is applied. Said substrate (3) includes an anchoring structure (4) on a bottom side (34) of the substrate (3) facing away from the semiconductor layer sequence (2). The anchoring structure (4) comprises or adjoins electric contact points (5). The anchoring structure (4) is designed to accommodate at least one thread (8) for making electric contact.
(FR)
L'invention concerne un composant à semi-conducteur émetteur de rayonnement et un tissu. Dans un mode de réalisation, le composant à semi-conducteur émetteur de rayonnement (1) comporte une succession de couches semi-conductrices (2) pourvue d'une zone active pour produire un rayonnement ainsi qu'un support (3) sur lequel la succession de couches semi-conductrices (2) est appliquée. L'un des supports (3) présente une structure d'ancrage (4) sur une face inférieure (34) opposée à la succession de couches conductrices (2). La structure d'ancrage (4) comporte des points de contact électriques (5) ou est adjacente à ceux-ci. La structure d'ancrage (4) est conçue pour loger au moins un fil (8) permettant la mise en contact électrique.
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