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1. WO2018192972 - HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE

Veröffentlichungsnummer WO/2018/192972
Veröffentlichungsdatum 25.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/059905
Internationales Anmeldedatum 18.04.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
20
Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
22
mit einer Kammstruktur [ridge structure] oder einer Streifenstruktur [stripe structure]
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
30
Aufbau oder Form des aktiven Gebiets; Materialien für das aktive Gebiet
34
mit Quantum-Well- oder Übergitterstrukturen, z.B. Single-Quantum-Well-Laser [SQW-Laser], Multiple-Quantum-Well-Laser [MQW-Laser], Graded-Index-Separate-Confinement-Heterostruktur-Laser [GRINSCH-Laser]
343
in AIIIBV-Verbindungen, z.B. AlGaAs-Laser
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
20
Aufbau oder Form des Halbleiterkörpers, der die optischen Wellen führt
22
mit einer Kammstruktur [ridge structure] oder einer Streifenstruktur [stripe structure]
223
Vergrabene Streifenstruktur [buried stripe structure]
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
022
Montagesockel oder Halterungen; Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
028
Beschichtungen, Überzüge
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
10
Aufbau oder Form des optischen Resonators
16
Fenster-Typ-Laser [window-type laser], d.h. zwischen dem aktiven Gebiet und der Reflektoroberfläche befindet sich ein Gebiet aus nicht-absorbierendem Material
H01S 5/22 (2006.01)
H01S 5/343 (2006.01)
H01S 5/223 (2006.01)
H01S 5/022 (2006.01)
H01S 5/028 (2006.01)
H01S 5/16 (2006.01)
CPC
H01S 2301/176
H01S 5/0224
H01S 5/0287
H01S 5/168
H01S 5/22
H01S 5/2206
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder
  • LELL, Alfred; DE
  • TAEGER, Sebastian; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten
10 2017 108 435.520.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HALBLEITERLASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERLASERDIODE
(EN) SEMICONDUCTOR LASER DIODE AND METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR LASER DIODE
(FR) DIODE LASER SEMI-CONDUCTRICE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE DIODE LASER SEMICONDUCTRICE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird eine Halbleiterlaserdiode (100) angegeben, die eine durch ein Epitaxieverfahren hergestellte Halbleiterschichtenfolge (2) mit zumindest einer aktiven Schicht (3) aufweist, wobei auf zumindest einem Oberflächenbereich (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) eine Gallium-haltige Passivierungsschicht (10) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode (100) angegeben.
(EN)
The invention relates to a semiconductor laser diode (100) which comprises a semiconductor layer sequence (2) produced by an epitaxial method with at least one active layer (3), wherein a gallium-containing passivation layer (10) is arranged on at least one surface area (20) of the semiconductor layer sequence (2). Furthermore, a method for producing a semiconductor laser diode (100) is disclosed.
(FR)
L'invention concerne une diode laser semi-conductrice (100) qui présente une succession de couches semi-conductrices (2) obtenue par épitaxie et comportant au moins une couche active (3), une couche de passivation (10) contenant du gallium étant disposée sur au moins une zone partielle (20) de la succession de couches semi-conductrices (2). L'invention concerne également un procédé de fabrication d'une diode semi-conductrice (100).
Auch veröffentlicht als
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