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1. WO2018192882 - LASERBARREN UND HALBLEITERLASER SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LASERBARREN UND HALBLEITERLASERN

Veröffentlichungsnummer WO/2018/192882
Veröffentlichungsdatum 25.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/059687
Internationales Anmeldedatum 16.04.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
022
Montagesockel oder Halterungen; Gehäuse
H01S 5/022 (2006.01)
CPC
H01S 2301/176
H01S 5/0202
H01S 5/021
H01S 5/02236
H01S 5/0224
H01S 5/04256
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder
  • ENZMANN, Roland Heinrich; DE
  • HALBRITTER, Hubert; DE
  • BRÖLL, Markus; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten
10 2017 108 385.520.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) LASERBARREN UND HALBLEITERLASER SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON LASERBARREN UND HALBLEITERLASERN
(EN) LASER BAR AND SEMICONDUCTOR LASER AND METHOD FOR PRODUCING LASER BARS AND SEMICONDUCTOR LASERS
(FR) BARRES LASER ET LASER À SEMI-CONDUCTEUR AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE BARRES LASER ET DE LASERS À SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Laserbarren oder von Halbleiterlasern angegeben, bei dem ein Trägerverbund zur Bildung einer Mehrzahl von Trägern für die Laserbarren oder für die Halbleiterlaser bereitgestellt wird. Es wird zudem ein Halbleiterkörperverbund bereitgestellt, der ein gemeinsames Substrat und eine darauf aufgewachsene gemeinsame Halbleiterschichtenfolge umfasst. Eine Mehrzahl von Trenngräben wird durch die gemeinsame Halbleiterschichtenfolge hindurch erzeugt, sodass der Halbleiterkörperverbund in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern unterteilt wird. Der Halbleiterkörperverbund wird auf dem Trägerverbund derart angebracht, dass die Trenngräben dem Trägerverbund zugewandt sind. Das gemeinsame Substrat wird gedünnt oder von der Halbleiterschichtenfolge entfernt. Der Trägerverbund wird in eine Mehrzahl von Trägern vereinzelt, wobei mehrere Halbleiterkörper auf einem der Träger angeordnet sind und wobei die auf einem gemeinsamen Träger angeordneten Halbleiterkörper durch die Trenngräben voneinander lateral beabstandet sind. Des Weiteren wird ein Halbleiterlaser oder eine Laserbarren angegeben, der durch ein solches Verfahren herstellbar ist.
(EN)
A method for producing laser bars or semiconductor lasers is specified, wherein a carrier composite assembly for forming a plurality of carriers for the laser bars or for the semiconductor lasers is provided. In addition, a semiconductor body composite assembly is provided, comprising a common substrate and a common semiconductor layer sequence grown thereon. A plurality of separating trenches are produced through the common semiconductor layer sequence, with the result that the semiconductor body composite assembly is subdivided into a plurality of semiconductor bodies. The semiconductor body composite assembly is mounted on the carrier composite assembly in such a way that the separating trenches face the carrier composite assembly. The common substrate is thinned or removed from the semiconductor layer sequence. The carrier composite assembly is singulated into a plurality of carriers, wherein a plurality of semiconductor bodies are arranged on one of the carriers and wherein the semiconductor bodies arranged on a common carrier are spaced apart laterally from one another by the separating trenches. Furthermore, a semiconductor laser or a laser bar which is producible by such a method is specified.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication de barres laser ou de lasers à semi-conducteurs, selon lequel un ensemble substrat est fourni pour former une pluralité de substrats pour les barres laser ou pour les lasers à semi-conducteurs. En outre, un ensemble de corps semi-conducteur est fourni, qui comprend un substrat commun et une séquence de couches semi-conductrices commune formée par croissance sur ledit substrat. Une pluralité de tranchées de séparation est produite à travers la séquence de couches semi-conductrices commune de telle sorte que l'ensemble de corps semi-conducteur est subdivisé en une pluralité de corps semi-conducteurs. L'ensemble de corps semi-conducteur est monté sur l'ensemble substrat de telle sorte que les tranchées de séparation sont orientées vers l'ensemble substrat. Le substrat commun est aminci ou enlevé de la séquence de couches semi-conductrices. L'ensemble substrat est séparé en une pluralité de substrats, une pluralité de corps semi-conducteurs étant disposés sur l'un des substrats et les corps semi-conducteurs disposés sur un support commun étant espacés latéralement les uns des autres par l'intermédiaire des tranchées de séparation. En outre, l'invention concerne un laser à semi-conducteur ou une barre laser, lequel peut être fabriqué selon un tel procédé.
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