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1. (WO2018192879) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND BETRIEBSVERFAHREN FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL

Pub. No.:    WO/2018/192879    International Application No.:    PCT/EP2018/059683
Publication Date: Fri Oct 26 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Apr 17 01:59:59 CEST 2018
IPC: H01L 33/00
H01L 33/14
H01L 33/08
H01L 33/38
H01L 33/44
Applicants: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventors: VIERHEILIG, Clemens
KREUTER, Philipp
HARTMANN, Rainer
BINDER, Michael
MEYER, Tobias
Title: OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND BETRIEBSVERFAHREN FÜR EIN OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
Abstract:
In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), die eine aktive Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung mittels Elektrolumineszenz umfasst. Eine elektrisch isolierende Passivierungsschicht (4) ist an Seitenflächen (25) der Halbleiterschichtenfolge (2) angebracht. Eine Randfelderzeugungsvorrichtung (5) befindet sich an den Seitenflächen (25) an einer der Halbleiterschichtenfolge (2) abgewandten Seite der Passivierungsschicht (4) sowie einer Raumladungszone (23),welche an die aktive Zone (22) angrenzt. Die Randfelderzeugungsvorrichtung (5) ist dazu eingerichtet, mindestens zeitweise in einem Randbereich der aktiven Zone (22) ein elektrisches Feld zu erzeugen, sodass im Betrieb ein Stromfluss durch die Halbleiterschichtenfolge (2) in dem Randbereich (23) steuerbar ist.