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1. WO2018192857 - HALBLEITERLASER

Veröffentlichungsnummer WO/2018/192857
Veröffentlichungsdatum 25.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/059555
Internationales Anmeldedatum 13.04.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
04
Verfahren oder Geräte zur Anregung, z.B. zum Pumpen
042
Elektrische Anregung
H01S 5/042 (2006.01)
CPC
H01S 2301/176
H01S 5/021
H01S 5/0224
H01S 5/02248
H01S 5/04254
H01S 5/0428
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder
  • ENZMANN, Roland Heinrich; DE
  • WOJCIK, Andreas; DE
  • HALBRITTER, Hubert; DE
  • BEHRINGER, Martin Rudolf; DE
  • MARIC, Josip; DE
  • JAMA, Mariel Grace; DE
  • HAHN, Berthold; DE
  • MÜLLER, Christian; DE
  • OTTO, Isabel; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten
10 2017 108 322.719.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HALBLEITERLASER
(EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung
(DE)
In einer Ausführungsform umfasst der Halbleiterlaser (1) umfasst eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (20) zur Erzeugung von Laserstrahlung (L). An einander gegenüberliegenden Hauptseiten der Halbleiterschichtenfolge (2) befinden sich zwei elektrische Anschlussbereiche (21, 22). Ein Kontaktträger (3) umfasst elektrische Kontaktflächen (31, 32) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (2). Eine elektrische Verbindungsleitung (23) reicht von der dem Kontaktträger (3) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (2) hin zum Kontaktträger (3). Die Verbindungsleitung (23) befindet sich an oder in der Halbleiterschichtenfolge (2).
(EN)
In one embodiment, the semiconductor laser (1) comprises a semiconductor layer sequence (2) with an active region (20) for generating laser radiation (L). Two electric connecting regions (21, 22) are located on opposite main sides of the semiconductor layer sequence (2). A contact carrier (3) comprises electric contact surfaces (31, 32) for electrically contacting the semiconductor layer sequence (2). An electric connecting line (23) extends from the side of the semiconductor layer sequence (2) facing away from the contact carrier (3) to the contact carrier (3). The connecting line (23) is located on or in the semiconductor layer sequence (2).
(FR)
Dans un mode de réalisation, la présente invention concerne un laser à semi-conducteur (1) comprenant une séquence de couches semi-conductrices (2) pourvue d'une zone active (20) destinée à générer un rayonnement laser (L). Sur les faces principales opposées l'une par rapport à l'autre de la séquence de couches semi-conductrices (2) se situent deux zones de raccordement (21, 22) électriques. Un support de contact (3) comprend des surfaces de contact (31, 32) électriques destinées à la mise en contact électrique de la séquence de couches semi-conductrices (2). Une ligne de jonction (23) électrique s'étend de la face de la séquence de couches semi-conductrices (2) opposée au support de contact (3) jusqu'au support de contact (3). La ligne de jonction (23) est située sur ou dans la séquence de couches semi-conductrices (2).
Auch veröffentlicht als
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