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1. (WO2018192837) SCHICHTWIDERSTAND UND DÜNNFILMSENSOR
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Veröff.-Nr.: WO/2018/192837 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/059433
Veröffentlichungsdatum: 25.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 12.04.2018
IPC:
H01C 10/10 (2006.01) ,H01C 17/06 (2006.01) ,G01L 1/18 (2006.01) ,G01L 9/06 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
C
Widerstände
10
Einstellbare Widerstände
10
einstellbar durch mechanischen Druck oder Kraft
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
C
Widerstände
17
Vorrichtungen oder Verfahren, die in besonderer Weise zum Herstellen von Widerständen geeignet sind
06
geeignet für das Beschichten eines Trägers mit Widerstandsmaterial
G Physik
01
Messen; Prüfen
L
Messen von Kraft, mechanischer Spannung, Drehmoment, Arbeit, mechanischer Leistung, mechanischem Wirkungsgrad oder des Drucks von Fluiden
1
Kraftmessung oder Messen der mechanischen Spannung allgemein
18
durch Anwendung der Eigenschaften von Piezowiderstandsmaterialien, d.h. von Materialien, deren ohmscher Widerstand sich entsprechend den Änderungen der Größe oder der Richtung der auf das Material einwirkenden Kraft ändert
G Physik
01
Messen; Prüfen
L
Messen von Kraft, mechanischer Spannung, Drehmoment, Arbeit, mechanischer Leistung, mechanischem Wirkungsgrad oder des Drucks von Fluiden
9
Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische, druckempfindliche Elemente; Übertragen oder Anzeigen der Verschiebung druckempfindlicher Elemente, verwendet zum Messen des stationären oder quasi-stationären Druckes eines Fluids oder eines fließfähigen festen Stoffes durch elektrische oder magnetische Einrichtungen
02
unter Ausnutzung der Änderungen in einem ohmschen Widerstand, z.B. von Potenziometern
06
mit piezoresistiven Vorrichtungen
Anmelder:
TDK ELECTRONICS AG [DE/DE]; Rosenheimer Str. 141e 81671 München, DE
Erfinder:
MILKE, Bettina; DE
OSTRICK, Bernhard; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 108 582.321.04.2017DE
Titel (EN) FILM RESISTOR AND THIN-FILM SENSOR
(FR) RÉSISTANCE À COUCHE ET CAPTEUR À COUCHE MINCE
(DE) SCHICHTWIDERSTAND UND DÜNNFILMSENSOR
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a film resistor (2) and a thin-film sensor (1) comprising said film resistor (2). The film resistor (2) includes a piezoresistive layer (3) which includes an M1+nAXn phase, where M includes at least one transition metal, A includes a main group element, X includes carbon and/or nitrogen, and n = 1, 2 or 3.
(FR) La présente invention concerne une résistance (2) à couche ainsi qu'un capteur (1) à couche mince qui comprend la résistance (2) à couche. La résistance (2) à couche présente une couche piézorésistive (3), la couche piézorésistive (3) présentant une phase M1+nAXn, M présentant au moins un métal de transition, A présentant un élément de groupe principal, X présentant du carbone et/ou de l'azote, et n = 1, 2 ou 3.
(DE) Die vorliegende Erfindung betrifft einen Schichtwiderstand (2) sowie einen Dünnfilmsensor (1), der den Schichtwiderstand (2) aufweist. Der Schichtwiderstand (2) weist eine piezoresistive Schicht (3) auf, wobei die piezoresistive Schicht (3) eine M1+nAXn-Phase aufweist, wobei M zumindest ein Übergangsmetall aufweist, A ein Hauptgruppenelement aufweist, X Kohlenstoff und/oder Stickstoff aufweist, und wobei n = 1, 2 oder 3 ist.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)