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1. (WO2018192689) VERFAHREN ZUR WAFERHERSTELLUNG MIT DEFINIERT AUSGERICHTETEN MODIFIKATIONSLINIEN

Pub. No.:    WO/2018/192689    International Application No.:    PCT/EP2018/050897
Publication Date: Fri Oct 26 01:59:59 CEST 2018 International Filing Date: Tue Jan 16 00:59:59 CET 2018
IPC: B23K 26/00
B23K 26/53
B23K 26/0622
B28D 5/00
B23K 103/00
Applicants: SILTECTRA GMBH
Inventors: SWOBODA, Marko
RIESKE, Ralf
BEYER, Christian
RICHTER, Jan
Title: VERFAHREN ZUR WAFERHERSTELLUNG MIT DEFINIERT AUSGERICHTETEN MODIFIKATIONSLINIEN
Abstract:
Die vorliegende Erfindung bezieht sich somit auf ein Verfahren zum Abtrennen von mindestens einer Festkörperschicht (2) von einem Spendersubstrat (1). Erfindungsgemäß umfasst das Verfahren bevorzugt mindestens die Schritte: Bereitstellen des Spendersubstrats (1), wobei das Spendersubstrat (1) Kristallgitterebenen (6) aufweist, die gegenüber einer ebenen Hauptoberfläche (8) geneigt sind, wobei die Hauptoberfläche (8) das Spendersubstrat (1) in Längsrichtung des Spendersubstarts (1) einerseits begrenzt, wobei sich eine Kritallgitterebenennormale gegenüber einer Hauptoberflächennormalen in eine erste Richtung neigt, Bereitstellen von mindestens einem Laser, Einbringen von Laserstrahlung des Lasers in das Innere des Spendersubstrats (1) über die Hauptoberfläche (8) zum Verändern der Materialeigenschaften des Spendersubstrats (1) im Bereich von mindestens einem Laserfokus, wobei der Laserfokus durch von dem Laser emittierten Laserstrahlen des Lasers gebildet wird, wobei die Veränderung der Materialeigenschaft durch Verändern des Eindringortes der Laserstrahlung in das Spendersubstrat (1) eine linienformige Gestalt (103) ausbildet, wobei die Veränderungen der Materialeigenschaft auf mindestens einer Erzeugungsebene (4) erzeugt werden, wobei die Kristallgitterebenen (6) des Spendersubstrats (1) gegenüber der Erzeugungsebene (4) geneigt ausgerichtet sind, wobei die linienformige Gestalt (103) gegenüber einer sich an der Schnittstelle zwischen der Erzeugungsebene (4) und der Kristallgitterebene (6) ergebenden Schnittlinie (10) geneigt ist, wobei durch die veränderte Materialeigenschaft das Spendersubstrat (1) in Form von unterkritischen Rissen einreißt, Abtrennen der Festkörperschicht (2) durch Einleiten einer äußeren Kraft in das Spendersubstrat (1) zum Verbinden der unterkritischen Risse oder so viel Material auf der Erzeugungsebene (4) mittels der Lasterstrahlung verändert wird, dass sich unter Verbindung der unterkritischen Risse die Festkörperschicht (2) von dem Spendersubstart (1) ablöst.