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1. (WO2018189964) MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY ELEMENT, MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT AND MAGNETIC NEURO-ELEMENT
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Veröff.-Nr.: WO/2018/189964 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2017/046623
Veröffentlichungsdatum: 18.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 26.12.2017
IPC:
H01L 21/8239 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
822
wobei das Substrat ein Halbleiter ist und Silicium-Technologie verwendet wird
8232
Feldeffekt-Technologie
8234
MIS-Technologie
8239
Speicher-Strukturen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105
mit Feldeffekt- Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
82
steuerbar allein durch Änderung des Magnetfeldes, dem das Halbleiterbauelement ausgesetzt ist
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
43
Bauelemente mit galvanomagnetischen oder ähnlichen magnetischen Effekten; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
08
durch ein Magnetfeld steuerbare Widerstände
Anmelder:
TDK株式会社 TDK CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋二丁目5番1号 2-5-1, Nihonbashi, Chuo-ku, Tokyo 1036128, JP
Erfinder:
佐々木 智生 SASAKI Tomoyuki; JP
柴田 竜雄 SHIBATA Tatsuo; JP
Vertreter:
棚井 澄雄 TANAI Sumio; JP
荒 則彦 ARA Norihiko; JP
飯田 雅人 IIDA Masato; JP
荻野 彰広 OGINO Akihiro; JP
Prioritätsdaten:
2017-08041314.04.2017JP
Titel (EN) MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY ELEMENT, MAGNETIC DOMAIN WALL UTILIZING ANALOG MEMORY, NON-VOLATILE LOGIC CIRCUIT AND MAGNETIC NEURO-ELEMENT
(FR) PAROI DE DOMAINE MAGNÉTIQUE UTILISANT UN ÉLÉMENT DE MÉMOIRE ANALOGIQUE, PAROI DE DOMAINE MAGNÉTIQUE UTILISANT UNE MÉMOIRE ANALOGIQUE, CIRCUIT LOGIQUE NON VOLATILE ET NEURO-ÉLÉMENT MAGNÉTIQUE
(JA) 磁壁利用型アナログメモリ素子、磁壁利用型アナログメモリ、不揮発性ロジック回路及び磁気ニューロ素子
Zusammenfassung:
(EN) The magnetic domain wall utilizing analog memory element according to one mode of the present invention comprises: a magnetized fixed layer (1) wherein the magnetization is oriented in a first direction; a non-magnetic layer (2) provided on one surface of the magnetized fixed layer (1); a magnetic domain wall drive layer (3) provided relative to the magnetized fixed layer (1) such that the non-magnetic layer (2) is held therebetween; a first magnetization supply means (4) supplying to the magnetic domain wall drive layer (3) magnetization oriented in the first direction; and a second magnetization supply means (5) supplying to the magnetic domain wall drive layer (3) magnetization oriented in a second direction opposite the first direction. At least one among the first magnetization supply means (4) and the second magnetization supply means (5) is in contact with the magnetic domain wall drive layer (3), and is a spin orbit torque wiring extending in a direction intersecting with the magnetic domain wall drive layer (3).
(FR) La paroi de domaine magnétique utilisant un élément de mémoire analogique selon un mode de la présente invention comprend : une couche fixe magnétisée (1) dans laquelle la magnétisation est orientée dans une première direction; une couche non magnétique (2) disposée sur une surface de la couche fixe magnétisée (1); une couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3) disposée par rapport à la couche fixe magnétisée (1) de telle sorte que la couche non magnétique (2) est maintenue entre celles-ci; un premier moyen d'alimentation en magnétisation (4) fournissant à la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3) une magnétisation orientée dans la première direction; et un second moyen d'alimentation en magnétisation (5) fournissant à la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3) une magnétisation orientée dans une seconde direction opposée à la première direction. Au moins l'un parmi le premier moyen d'alimentation en magnétisation (4) et le second moyen d'alimentation en magnétisation (5) est en contact avec la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3), et est un câblage de couple spin-orbite s'étendant dans une direction croisant la couche d'entraînement de paroi de domaine magnétique (3).
(JA) 本発明の一態様にかかる磁壁利用型アナログメモリ素子は、第1の方向に磁化が配向した磁化固定層(1)と、磁化固定層(1)の一面に設けられた非磁性層(2)と、磁化固定層(1)に対して非磁性層(2)を挟んで設けられた磁壁駆動層(3)と、磁壁駆動層(3)に第1の方向に配向した磁化を供給する第1磁化供給手段(4)及び第1の方向と反対の第2の方向に配向した磁化を供給する第2磁化供給手段(5)と、を備え、第1磁化供給手段(4)及び第2磁化供給手段(5)のうち少なくとも一方は、磁壁駆動層(3)に接し、磁壁駆動層(3)に対して交差する方向に延在するスピン軌道トルク配線である。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)
Auch veröffentlicht als:
CN109643690US20190189516