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1. WO2018189236 - STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2018/189236
Veröffentlichungsdatum 18.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/059277
Internationales Anmeldedatum 11.04.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
50
Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
62
Anordnungen für die Zu- oder Ableitung von elektrischem Strom zu bzw. von den Halbleiterkörpern, z.B. Leiterrahmen, Bonddrähte oder Lotkugeln
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
H01L 33/50 (2010.01)
H01L 33/62 (2010.01)
H01L 33/48 (2010.01)
H01L 25/075 (2006.01)
CPC
H01L 25/075
H01L 25/0753
H01L 2933/0041
H01L 2933/0066
H01L 33/486
H01L 33/502
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder
  • TANGRING, Ivar; DE
  • LAMFALUSI, Tamas; DE
Vertreter
  • PATENTANWALTSKANZLEI WILHELM & BECK; Prinzenstr. 13 80639 München, DE
Prioritätsdaten
10 2017 107 834.711.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT
(EN) RADIATION-EMITTING COMPONENT
(FR) COMPOSANT ÉMETTEUR DE RAYONNEMENT
Zusammenfassung
(DE)
Die vorliegende Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Bauelement. Das strahlungsemittierende Bauelement weist einen Träger, einen auf einer Vorderseite des Trägers angeordneten strahlungsemittierenden Halbleiterchip und einen den Halbleiterchip umgebenden Konverter zur Strahlungskonversion auf. Der Halbleiterchip ist ein zur allseitigen Strahlungsemission ausgebildeter Volumenemitter. Der Halbleiterchip ist an einer dem Träger zugewandten Rückseite mit Hilfe von metallischen Kontaktelementen mit dem Träger elektrisch verbunden. Die Kontaktelemente dienen als Abstandshalter, so dass ein Zwischenraum zwischen der Rückseite des Halbleiterchips und der Vorderseite des Trägers vorliegt. Der Konverter umgibt den Halbleiterchip allseitig und ist in dem Zwischenraumzwischen dem Halbleiterchip und dem Trägerangeordnet. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Verfahren zum Herstellen eines strahlungsemittierenden Bauelements.
(EN)
The present invention relates to a radiation-emitting component. The radiation-emitting component comprises a carrier, a radiation-emitting semiconductor chip arranged on a front side of the carrier, and a converter surrounding the semiconductor chip for converting radiation. The semiconductor chip is a volume emitter designed for radiation emission on all sides. The semiconductor chip is electrically connected to the carrier on a rear side facing towards the carrier by means of metal contact elements. The contact elements are used as spacers so that there is an intermediate space between the rear side of the semiconductor chip and the front side of the carrier. The converter surrounds the semiconductor chip on all sides and is arranged in the intermediate space between the semiconductor chip and the carrier. The invention further relates to a method for producing a radiation-emitting component.
(FR)
L'invention concerne un composant émetteur de rayonnement. Le composant émetteur de rayonnement présente un support, une puce semi-conductrice émettrice de rayonnement disposée sur le côté avant du support, et un convertisseur qui entoure la puce semi-conductrice et sert à convertir le rayonnement. La puce semi-conductrice est un émetteur volumique conçu pour émettre du rayonnement de tous côtés. La puce semi-conductrice est connectée électriquement au support, au niveau d’un côté arrière orienté vers le support, à l’aide d’éléments de contact métalliques. Les éléments de contact servent d’éléments d'espacement de sorte qu’un interstice est formé entre le côté arrière de la puce semi-conductrice et le côté avant du support. Le convertisseur entoure la puce semi-conductrice de tous côtés et est disposé dans l’interstice entre la puce semi-conductrice et le support. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un élément émetteur de rayonnement.
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