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1. WO2018189183 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2018/189183
Veröffentlichungsdatum 18.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/059169
Internationales Anmeldedatum 10.04.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
15
mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
50
Bestandteile zur Wellenlängenkonversion
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
charakterisiert durch den Halbleiterkörper
08
mit einer Mehrzahl lichtemittierender Bereiche, z.B. lateral diskontinuierliche lichtemittierende Schichten oder in den Halbleiterkörper integrierte photolumineszente Bereiche
H01L 27/15 (2006.01)
H01L 33/50 (2010.01)
H01L 33/08 (2010.01)
CPC
C25D 13/12
H01L 25/0753
H01L 25/167
H01L 27/15
H01L 27/156
H01L 2933/0041
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder
  • GÖÖTZ, Britta; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten
10 2017 107 939.412.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT, AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements (100) angegeben. Das Verfahren umfasst die Schritte A) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (5) umfassend eine Vielzahl an Pixeln (1) und eine aktive Schicht, wobei die aktive Schicht dazu eingerichtet ist, eine Primärstrahlung im blauen Bereich des elektromagnetischen Spektrums mit einer Peakwellenlänge zwischen einschließlich 420 nm und einschließlich 480 nm zu emittieren, B) Aufbringen eines Photolacks (9) und eines ersten Konvertermaterials (10a) auf die Halbleiterschichtenfolge (5), D) Belichten des Photolacks (9) mit einer Strahlung mit einer Peakwellenlänge, die längerwelliger ist als die Peakwellenlänge der Primärstrahlung, E) Aushärten des Photolacks (9) durch eine Polymerisation zur Bildung einer ersten Konverterschicht (2a) umfassend ein Matrixmaterial und das erste Konvertermaterial (10a), F) Strukturieren der ersten Konverterschicht (2a).
(EN)
A method for producing an optoelectronic component (100) is specified. The method comprises steps A) providing a semiconductor layer sequence (5) comprising a multiplicity of pixels (1) and an active layer, wherein the active layer is configured to emit a primary radiation in the blue range of the electromagnetic spectrum with a peak wavelength of between 420 nm and 480 nm inclusive, B) applying a photoresist (9) and a first converter material (10a) on the semiconductor layer sequence (5), D) exposing the photoresist (9) with a radiation having a peak wavelength longer than the peak wavelength of the primary radiation, E) curing the photoresist (9) by polymerization in order to form a first converter layer (2a) comprising a matrix material and the first converter material (10a), F) patterning the first converter layer (2a).
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'un composant optoélectronique (100). Le procédé comprend les étapes suivantes : A) fournir une succession de couches semi-conductrices (5) comprenant une multitude de pixels (1) et une couche active, dans lesquelles la couche active est prévue pour émettre un rayonnement primaire dans la partie bleue du spectre électromagnétique avec une longueur d'onde de crête comprise entre 420 nm inclus et 480 nm inclus, B) appliquer un photorésist (9) et un premier matériau de convertisseur (10a) à la succession de couches semi-conductrices (5), D) exposer le photorésist (9) à un rayonnement ayant une longueur d'onde de crête plus longue que la longueur d'onde de crête du rayonnement primaire, E) durcir le photorésist (9) par polymérisation pour former une première couche de convertisseur (2a) comprenant un matériau de matrice et le premier matériau de convertisseur (10a), F) structurer la première couche de convertisseur (2a).
Auch veröffentlicht als
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