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1. (WO2018189131) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR CHEMISCHEN BEHANDLUNG EINES HALBLEITER-SUBSTRATS MIT EINER GESÄGTEN OBERFLÄCHENSTRUKTUR
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Veröff.-Nr.: WO/2018/189131 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2018/059070
Veröffentlichungsdatum: 18.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 10.04.2018
IPC:
H01L 31/0236 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/67 (2006.01) ,H01L 21/677 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0236
besondere Oberflächen-Texturen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
18
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30
Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
302
zur Änderung der physikalischen Oberflächenbeschaffenheit oder zur Änderung der Form, z.B. Ätzen, Polieren, Sägen, Schneiden
306
Chemische oder elektrische Behandlung, z.B. elektrolytisches Ätzen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
677
zum Transportieren oder Fördern, z.B. zwischen verschiedenen Bearbeitungsstationen
Anmelder:
RCT SOLUTIONS GMBH [DE/DE]; Line-Eid-Str. 1 78467 Konstanz, DE
Erfinder:
FATH, Peter; DE
JOOSS, Wolfgang; DE
MELNYK, Ihor; DE
Vertreter:
RAU, SCHNECK & HÜBNER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE PARTGMBB; Königstrasse 2 90402 Nürnberg, DE
Prioritätsdaten:
10 2017 206 432.313.04.2017DE
10 2017 215 484.504.09.2017DE
Titel (EN) DEVICE AND METHOD FOR CHEMICALLY TREATING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING A SAWN SURFACE STRUCTURE
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT CHIMIQUE D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR À STRUCTURE DE SURFACE SCIÉE
(DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR CHEMISCHEN BEHANDLUNG EINES HALBLEITER-SUBSTRATS MIT EINER GESÄGTEN OBERFLÄCHENSTRUKTUR
Zusammenfassung:
(EN) The invention relates to a device (1) for chemically treating a semiconductor substrate (2) having a surface structure (So) that is sawn or formed from a molten semiconductor material, comprising a first process tank (6) that contains a first process liquid (10). The first process liquid (10) provides for both the removal of the surface structure (So) that is sawn or formed from a molten semiconductor material, and the production of a textured surface structure (S1) by means of metal-assisted chemical etching. The textured surface structure (S1) is then thoroughly cleaned with a cleaning device (7). Subsequently, in a second process tank (8) containing a second process liquid (18), the textured surface structure (S1) is aftertreated by means of chemical etching. The aftertreated textured surface structure (S2) makes it possible to produce solar cells demonstrating low reflection losses and a high degree of efficiency.
(FR) L'invention concerne un dispositif (1) de traitement chimique d'un substrat semi-conducteur (2), pourvu d'une structure de surface (So) sciée ou formée partir d'une masse fondue semi-conductrice, qui comprend une première cuve de traitement (6) pourvu d'un premier liquide de traitement (10). Le premier liquide de traitement (10) permet de retirer la structure de surface (So) sciée ou formée de la masse fondue semi-conductrice et de créer une structure de surface texturée (S1) par attaque chimique avec apport de métal. La structure de surface texturée (Si) est ensuite nettoyée à fond au moyen d'un dispositif de nettoyage (7). Ensuite, dans une deuxième cuve de traitement (8) pourvue d'un deuxième liquide de traitement (18), la structure de surface texturée (Si) est traitée par attaque chimique. La structure de surface texturée après traitement (S2) permet de produire des cellules solaires à faible perte de réflexion et à haut rendement.
(DE) Eine Vorrichtung (1) zur chemischen Behandlung eines Halbleiter- Substrats (2) mit einer gesägten oder aus einer Halbleiterschmelze geform- ten Oberflächenstruktur (So) umfasst ein erstes Prozessbecken (6) mit einer ersten Prozessflüssigkeit (10). Die erste Prozessflüssigkeit (10) ermöglicht sowohl ein Entfernen der gesägten oder aus der Halbleiterschmelze geformten Oberflächenstruktur (So) als auch ein Erzeugen einer texturierten Oberflächenstruktur (S1) durch metallunterstütztes chemisches Ätzen. Die texturierte Oberflächenstruktur (Si) wird anschließend mittels einer Reinigungseinrichtung (7) gründlich gereinigt. Anschließend wird in einem zweiten Prozessbecken (8) mit einer zweiten Prozessflüssigkeit (18) die texturierte Oberflächenstruktur (Si) durch chemisches Ätzen nachbehandelt. Die nachbehandelte texturierte Oberflächenstruktur (S2) ermöglicht die Herstellung von Solarzellen mit geringen Reflexionsverlusten und einem hohen Wirkungsgrad.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)