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1. WO2018189130 - VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR CHEMISCHEN BEARBEITUNG EINES HALBLEITER-SUBSTRATS

Veröffentlichungsnummer WO/2018/189130
Veröffentlichungsdatum 18.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/059069
Internationales Anmeldedatum 10.04.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
18
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02
Einzelheiten
0236
besondere Oberflächen-Texturen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
67
Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Halbleiterbauelementen oder elektrischen Festkörperbauelementen während ihrer Herstellung oder Behandlung; Vorrichtungen, besonders ausgebildet zur Handhabung von Wafern während der Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen, elektrischen Festkörperbauelementen oder einzelnen Schaltungselementen
677
zum Transportieren oder Fördern, z.B. zwischen verschiedenen Bearbeitungsstationen
H01L 31/18 (2006.01)
H01L 31/0236 (2006.01)
H01L 21/67 (2006.01)
H01L 21/677 (2006.01)
CPC
H01L 21/67086
H01L 21/67706
H01L 21/6776
H01L 31/02363
H01L 31/18
Y02E 10/50
Anmelder
  • RCT SOLUTIONS GMBH [DE/DE]; Line-Eid-Str. 1 78467 Konstanz, DE
Erfinder
  • MELNYK, Ihor; DE
  • FATH, Peter; DE
  • JOOß, Wolfgang; DE
Vertreter
  • RAU, SCHNECK & HÜBNER PATENTANWÄLTE RECHTSANWÄLTE PARTGMBB; Königstrasse 2 90402 Nürnberg, DE
Prioritätsdaten
10 2017 206 455.213.04.2017DE
10 2017 215 482.904.09.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR CHEMISCHEN BEARBEITUNG EINES HALBLEITER-SUBSTRATS
(EN) METHOD AND DEVICE FOR CHEMICALLY TREATING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR LE TRAITEMENT CHIMIQUE D’UN SUBSTRAT DE SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur asymmetrischen Bearbeitung von Wafern (2) in einem einzigen Prozessschritt.
(EN)
The invention relates to a device and method for asymmetrically treating wafers (2) in a single process step.
(FR)
L'invention concerne un dispositif et un procédé permettant le traitement asymétrique de plaquettes (2) en une seule étape de processus.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten