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1. (WO2018186389) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOSENSOR AND IMAGING ELEMENT
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Veröff.-Nr.: WO/2018/186389 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2018/014250
Veröffentlichungsdatum: 11.10.2018 Internationales Anmeldedatum: 03.04.2018
IPC:
H01L 51/42 (2006.01) ,H01L 27/146 (2006.01) ,H01L 31/10 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
42
besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
14
mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144
Strahlungsgesteuerte Bauelemente
146
Strukturen für Bildaufnahmeeinheiten
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31
Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08
in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10
gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
Anmelder:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
Erfinder:
吉岡 知昭 YOSHIOKA Tomoaki; JP
福▲崎▼ 英治 FUKUZAKI Eiji; JP
野村 公篤 NOMURA Kimiatsu; JP
Vertreter:
渡辺 望稔 WATANABE Mochitoshi; JP
伊東 秀明 ITOH Hideaki; JP
三橋 史生 MITSUHASHI Fumio; JP
Prioritätsdaten:
2017-07654007.04.2017JP
2018-01036525.01.2018JP
Titel (EN) PHOTOELECTRIC CONVERSION ELEMENT, PHOTOSENSOR AND IMAGING ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, PHOTODÉTECTEUR ET ÉLÉMENT IMAGEUR
(JA) 光電変換素子、光センサ、および、撮像素子
Zusammenfassung:
(EN) The present invention provides: a photoelectric conversion element which has excellent responsivity, while exhibiting excellent dark current characteristics in cases where a photoelectric conversion film is formed at a high rate; a photosensor and an imaging element, each of which comprises this photoelectric conversion element; and a compound. A photoelectric conversion element according to the present invention sequentially comprises a conductive film, a photoelectric conversion film and a transparent conductive film in this order; and the photoelectric conversion film contains a compound represented by formula (1) and an n-type organic semiconductor that has a specific structure.
(FR) La présente invention concerne : un élément de conversion photoélectrique qui présente une excellente sensibilité, tout en présentant d'excellentes caractéristiques de courant d'obscurité dans des cas où un film de conversion photoélectrique est formé à grande vitesse; un photodétecteur et un élément imageur, dont chacun comprend cet élément de conversion photoélectrique; et un composé. Un élément de conversion photoélectrique conforme à la présente invention comprend séquentiellement un film conducteur, un film de conversion photoélectrique et un film conducteur transparent dans cet ordre; et le film de conversion photoélectrique contient un composé représenté par la formule (1) et un semi-conducteur organique de type n qui présente une structure spécifique.
(JA) 本発明は優れた応答性、および、光電変換膜を高速成膜した場合において優れた暗電流特性を示す光電変換素子、光電変換素子を有する、光センサ、撮像素子、および、化合物を提供する。本発明の光電変換素子は、導電性膜、光電変換膜、および、透明導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、光電変換膜が、式(1)で表される化合物、および、所定の構造を有するn型有機半導体を含む。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DJ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JO, JP, KE, KG, KH, KN, KP, KR, KW, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)