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1. WO2018185156 - INFRAROT-LICHTQUELLE

Veröffentlichungsnummer WO/2018/185156
Veröffentlichungsdatum 11.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/058595
Internationales Anmeldedatum 04.04.2018
IPC
[IPC code unknown for G01N 21/3504]
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
21
Optisches Untersuchen oder Analysieren von Stoffen, d.h. durch die Anwendung infraroten, sichtbaren oder ultravioletten Lichts
17
Systeme, in denen einfallendes Licht durch die Eigenschaften des untersuchten Materials beeinflusst wird
25
Farbe; Spektraleigenschaften, d.h. Vergleich der Materialeffekte bei Licht von zwei oder mehr Wellenlängen oder Wellenlängenbereichen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
37
Thermoelektrische Bauelemente ohne eine Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; thermomagnetische Bauelemente, z.B. unter Verwendung des Nernst-Ettinghausen-Effekts; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
H Elektrotechnik
05
Elektrotechnik, soweit nicht anderweitig vorgesehen
B
Elektrische Heizung; elektrische Beleuchtung, soweit nicht anderweitig vorgesehen
3
Widerstandsheizung
G Physik
01
Messen; Prüfen
J
Messen der Intensität, der Geschwindigkeit, der spektralen Zusammensetzung, der Polarisation, der Phase oder der Pulscharakteristik von infrarotem, sichtbarem oder ultraviolettem Licht; Farbmessung; Strahlungspyrometrie
3
Spektrometrie; Spektrofotometrie; Monochromatoren; Farbmessung
02
Einzelheiten
10
Anordnungen von Lichtquellen besonders für Spektrometrie oder Farbmessung
G01N 21/3504 (2014.01)
G01N 21/25 (2006.01)
H01L 37/00 (2006.01)
H05B 3/00 (2006.01)
G01J 3/10 (2006.01)
CPC
G01J 3/0256
G01J 3/10
G01J 3/108
G01J 3/433
G01N 21/255
G01N 21/3504
Anmelder
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Werner-von-Siemens-Straße 1 80333 München, DE
Erfinder
  • FLEISCHER, Maximilian; DE
  • HEDLER, Harry; DE
  • POHLE, Roland; DE
  • WIESNER-FLEISCHER, Kerstin; DE
  • ZAPF, Jörg; DE
  • VON SICARD, Oliver; DE
Prioritätsdaten
10 2017 205 990.707.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) INFRAROT-LICHTQUELLE
(EN) INFRARED LIGHT SOURCE
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE INFRAROUGE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird eine Infrarot-Lichtquelle angegeben, umfassend ein Substrat, das wenigstens eine einkristalline Siliziumschicht aufweist und das in einem Teilbereich eine Membran aufweist, wobei die Dicke der Membran weniger als 200 μm beträgt und wobei die Membran einen Teil der einkristallinen Siliziumschicht umfasst, wobei das Substrat wenigstens eine Diffusionssperrschicht zur Verminderung der Oxidation der einkristallinen Siliziumschicht aufweist, wobei die Diffusionssperrschicht wenigstens die Membran bedeckt, wobei die Infrarot-Lichtquelle weiterhin eine auf der Membran angeordnete Deck-Schicht umfasst, die eine Emissivität von wenigstens 0,85 aufweist.
(EN)
The invention relates to an infrared light source, comprising a substrate, which has at least one monocrystalline silicon layer and which has a membrane in a partial region, the thickness of the membrane being less than 200 μm and the membrane comprising a part of the monocrystalline silicon layer, the substrate having at least one diffusion barrier layer for reducing the oxidation of the monocrystalline silicon layer, the diffusion barrier layer covering at least the membrane, the infrared light source also comprising a cover layer arranged on the membrane, which cover layer has an emissivity of at least 0.85.
(FR)
L'invention concerne une source de lumière infrarouge comprenant un substrat qui comprend au moins une couche de silicium monocristallin et comporte, dans une partie, une membrane dont l'épaisseur est inférieure à 200 μm, ladite membrane comprenant une partie de la couche de silicium monocristallin, le substrat comprenant au moins une couche barrière de diffusion destinée à réduire l'oxydation de la couche de silicium monocristallin, la couche barrière de diffusion recouvrant au moins la membrane, la source de lumière infrarouge comprenant en outre une couche de recouvrement qui est disposée sur la membrane et qui présente une émissivité d'au moins 0,85.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten