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1. WO2018185086 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2018/185086
Veröffentlichungsdatum 11.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/058461
Internationales Anmeldedatum 03.04.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
15
mit Halbleiterschaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission
H01L 27/15 (2006.01)
CPC
H01L 21/50
H01L 27/156
H01L 2933/0033
H01L 33/382
H01L 33/62
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder
  • OTTO, Isabel; DE
  • LEIRER, Christian; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten
10 2017 107 201.204.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERBAUELEMENTS UND OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben, mit den Schritten: a) Bereitstellen einer Halbleiterschichtenfolge (200) mit einem zum Erzeugen von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20), der eine Mehrzahl von Emissionsbereichen (3) aufweist; b) Ausbilden einer Mehrzahl von ersten Kontaktstellen (41), die jeweils mit einem Emissionsbereich elektrisch leitend verbunden sind, auf der Halbleiterschichtenfolge; c) Befüllen der Zwischenräume (45) zwischen den Kontaktstellen mit einer Formmasse (50); und d) Anordnen der Halbleiterschichtenfolge auf einem Anschlussträger (6) mit einer Ansteuerschaltung (65) und einer Mehrzahl von Anschlussflächen (61), wobei die ersten Kontaktstellen jeweils mit einer Anschlussfläche elektrisch leitend verbunden werden und die Emissionsbereiche mittels der Ansteuerschaltung unabhängig voneinander ansteuerbar sind. Weiterhin wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (1) angegeben.
(EN)
The invention relates to a method for producing an optoelectronic semiconductor component, comprising the following steps: a) providing a sequence of semiconductor layers (200) with an active region (20) for generating radiation, said active region comprising a plurality of emission regions (3); b) forming a plurality of first contact points (41) that are each electroconductively connected to an emission region, on the sequence of semiconductor layers; c) filling the intermediate spaces (45) between the contact points with a moulding compound (50); and d) arranging the sequence of semiconductor layers on a connection carrier (6) with a control circuit (65) and a plurality of connection surfaces (61), the first contact points each being electroconductively connected to a connection surface, and the emission regions being controllable independently from each other by the control circuit. The invention also relates to an optoelectronic semiconductor component (1).
(FR)
L’invention concerne un procédé de fabrication d’un composant optoélectronique à semi-conducteur comprenant les étapes suivantes : a) fournir une succession de couches semi-conductrices (200) comportant une région active (20) qui est destinée à générer un rayonnement et qui comporte une pluralité de zones d’émission (3) ; b) former une pluralité de premiers points de contact (41), reliés chacun électriquement à une zone d’émission, sur la succession des couche semi-conductrices ; c) remplir les espaces intermédiaires (45), situés entre les points de contact, avec une matière de moulage (50) ; et d) disposer la succession de couches semi-conductrices sur un support de connexion (6) comportant un circuit de commande (65) et une pluralité de surfaces de connexion (61). Les premiers points de contact sont connectés chacun électriquement à une surface de connexion et les zones d’émission peuvent être commandées indépendamment les unes des autres au moyen du circuit de commande. En outre, l’invention concerne un composant optoélectronique à semi-conducteur (1).
Auch veröffentlicht als
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