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1. WO2018184846 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERBAUELEMENTE UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2018/184846
Veröffentlichungsdatum 11.10.2018
Internationale Veröffentlichungsnummer PCT/EP2018/057150
Internationales Anmeldedatum 21.03.2018
IPC
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
52
Einkapselungen
54
mit besonderer Form
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
58
Bestandteile zur Formung optischer Felder
60
Reflektierende Bestandteile
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
H01L 33/54 (2010.01)
H01L 33/60 (2010.01)
H01L 33/48 (2010.01)
CPC
H01L 2933/0033
H01L 2933/0041
H01L 2933/005
H01L 2933/0058
H01L 33/486
H01L 33/54
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg, DE
Erfinder
  • TÅNGRING, Ivar; DE
  • SCHLERETH, Thomas; DE
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schloßschmidstr. 5 80639 München, DE
Prioritätsdaten
10 2017 107 226.804.04.2017DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VIELZAHL STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERBAUELEMENTE UND STRAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A PLURALITY OF RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS, AND RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENTS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLURALITÉ DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS ÉMETTANT UN RAYONNEMENT ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR À ÉMISSION DE RAYONNEMENT
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterbauelemente mit den folgenden Schritten angegeben: - Bereitstellen eines Hilfsträgers (1), - Aufbringen einer Vielzahl strahlungsemittierender Halbleiterchips (2) auf den Hilfsträger (1) mit Vorderseiten, so dass Rückseiten der Halbleiterchips (2) frei zugänglich sind, - Aufbringen von Abstandshaltern (9) auf den Hilfsträger (1) derart, dass die Abstandshalter (9) direkt an Seitenflächen der Halbleiterchips (2) angrenzen und, - Aufbringen einer Vergussmasse (11) zwischen die Halbleiterchips (2) mittels Siebdruck oder Rakeln, derart, dass sich ein Halbleiterchipverbund ausbildet. Weiterhin wird ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben.
(EN)
The invention relates to a method for producing a plurality of radiation-emitting semiconductor components, having the following steps: - providing an auxiliary support (1), - applying the front face of a plurality of radiation-emitting semiconductor chips (2) onto the auxiliary support (1) such that rear faces of the semiconductor chips (2) are freely accessible, - applying spacers (9) onto the auxiliary support (1) such that the spacers (9) directly adjoin lateral surfaces of the semiconductor chips (2), and - applying a potting compound (11) between the semiconductor chips (2) by means of screen printing or scraping such that a semiconductor chip composite is formed. The invention additionally relates to a radiation-emitting semiconductor component.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une pluralité donnée de composants semi-conducteurs à émission de rayonnement. Le procédé comprend les étapes suivantes consistant à : fournir un support auxiliaire (1) ; appliquer une pluralité de puces semi-conductrices (2) à émission de rayonnement sur le support auxiliaire (1) avec des faces avant ; installer des écarteurs (9) sur le support auxiliaire (1) de telle manière par des côtés avant que les écarteurs (9) jouxtent directement des surfaces latérales des puces semi-conductrices (2) ; et installation d'une masse de scellement (11) entre les puces semi-conductrices (2) au moyen d'une sérigraphie ou de cachets de telle manière qu'un composite de puces semi-conductrices (2) et réalisé. L’invention concerne également un composant semi-conducteur à émission de rayonnement.
Auch veröffentlicht als
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